发光学报

发光学报 发光学报
  • 主编:江风益
  • ISSN:1000-7032
  • eISSN:2097-3195
  • CN:22-1116/O4
  • 主办单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国物理学会发光分会
  • 出版周期:月刊
  • 电话:0431-86176862
  • 邮箱:fgxbt@126.com
  • 地址:长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
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Volume 46 期 5,2025 2025年46卷第5期
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    最新研究发现,氧化锌量子点在可见光区的发光新模型,制备出高发光效率的量子点,为X射线探测成像提供新方案。

    郜梦迪, 曹庆, 宋世玉, 刘凯凯, 单崇新

    DOI:10.37188/CJL.20240344
    摘要:氧化锌(ZnO)可见光区的荧光发射具有漫长且复杂的发展历程。在过去的研究中,研究者们将可见光区的发射归因于杂质或结构缺陷(如氧空位、锌空位、锌间隙、表面态)的存在,仍然存在一定的分歧。对于结晶性良好、高发光效率的ZnO量子点,将其在可见光区的发射机理归结于缺陷模型是矛盾的。本文提出了ZnO量子点的多重混合自陷域激子发射模型,并制备了具有明亮的单重态/三重态混合自陷域激子发光的ZnO量子点,其发光范围覆盖了400~700 nm。单重态激子和三重态激子发射的光致发光量子产率(PLQY)分别为45.56%和22.44%。得益于良好的透明性和明亮的三重态激子,我们探究了ZnO量子点在可见光区的X射线探测成像。其中,ZnO量子点闪烁体薄膜的X射线最低检测限低至64.89 nGy/s,低于X射线医学成像所需标准剂量。该工作提出了ZnO量子点在可见光区的发光新模型,实现了基于ZnO量子点的新型透明闪烁体,并展示了其在X射线探测成像应用中的潜力。  
    关键词:ZnO量子点;自陷域激子;单重态/三重态;X射线成像   
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    更新时间:2025-05-27
  • 特邀报告

    氧化锌基忆阻器件研究进展 增强出版 AI导读

    最新研究进展显示,氧化锌基忆阻器件在信息存储处理、类脑突触功能模拟等领域具有广阔应用前景。专家总结了氧化锌基忆阻器件面临的挑战,并展望了未来发展趋势。

    史佳娟, 单旋宇, 王中强, 徐海阳, 刘益春

    DOI:10.37188/CJL.20240331
    摘要:忆阻器因其具有结构简单、可集成密度高、运行功耗低等优势,在高效信息存储处理、类脑突触功能模拟等领域有着良好的应用前景。氧化锌材料具有制备工艺简单、室温激子稳定性优异、生物相容性良好等优点,是发展高性能忆阻器件的理想材料之一。本文综述了近年来氧化锌基忆阻器件的研究进展,包括氧化锌基忆阻器件的阻变特性与运行机制、突触认知功能模拟、相关神经形态功能及应用。首先,介绍了氧化锌基忆阻器件的阻变特性及其运行机制,包括电信号和光信号调制的阻变行为;在此基础上,依据不同的阻变特性依次介绍了基于忆阻器实现的突触器件认知功能模拟,包括突触可塑性和进阶学习法则模拟;进一步介绍了忆阻器件在神经形态计算方面的应用,包括逻辑运算、模式识别和多模式感存算一体化功能;最后,总结氧化锌基忆阻器件现阶段面临的挑战,并对未来发展趋势进行了展望。  
    关键词:氧化锌;忆阻器;光电忆阻器;人工突触   
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    更新时间:2025-05-27
    在医疗诊断等领域,单晶钙钛矿X射线探测器因其高灵敏度等优势备受关注。专家综述了其研究进展,为提升探测器性能提供新思路。

    赵元元, 张云霞, 刘乃铭, 刘生忠, 刘渝城

    DOI:10.37188/CJL.20240196
    摘要:X射线探测在医疗诊断、安防安检、工业无损探伤等领域应用广泛。近年来,金属卤化物钙钛矿X射线探测器因其高灵敏度、低探测限、低成本等优势备受关注。相比于多晶钙钛矿薄膜,单晶钙钛矿因无晶界而具有更低的缺陷态密度、更高的载流子迁移率-寿命乘积、更优异的均匀性和稳定性,因而有利于提高X射线探测器的性能。本文首先从X射线探测的基本原理和关键性能评价指标出发,阐述了单晶钙钛矿用于直接型X射线探测的优势,进而综述了单晶钙钛矿直接型X射线探测与成像的研究进展。系统分析了单晶钙钛矿的结晶质量优化、材料组分调控以及器件结构设计对X射线探测性能的提升机制。最后,讨论了单晶钙钛矿X射线探测器面临的技术挑战和潜在解决方案,并对该研究领域的发展趋势进行了展望。  
    关键词:单晶钙钛矿;直接型X射线探测;晶体质量;组分调控;器件结构   
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    更新时间:2025-05-27
    在X射线探测领域,宽禁带半导体材料如碳化硅、氮化镓等展现出优异性能,符合高性能探测器特点要求,为医学成像、工业检测和太空探索等未来研究方向和潜在应用提供了参考。

    吴璇, 高润龙, 刘志宇, 钟向丽, 刘林月, 欧阳晓平

    DOI:10.37188/CJL.20240312
    摘要:高性能半导体X射线探测器应具备低检测限、低暗电流、高灵敏度、快速响应、强抗辐照性能等特点。碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓和氧化锌等宽禁带半导体因具有宽禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强、高饱和载流子漂移速度、大离位能等特性,在X射线探测中展现出优异性能,符合高性能半导体X射线探测器的特点要求,成为极具前景的X射线探测器。本文介绍了碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓和氧化锌等宽禁带半导体材料特性、制备技术和X射线探测器研究的最新进展,为医学成像、工业检测和太空探索等未来研究方向和潜在应用提供了参考。  
    关键词:宽禁带;半导体;X射线探测器;碳化硅;氮化镓;金刚石   
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    更新时间:2025-05-27
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