您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
6H-SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • 6H-SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备

    • Fabrication of Vertical Structure Ultraviolet LED on 6H-SiC Substrate

    • 发光学报   2017年38卷第6期 页码:753-759
    • DOI:10.3788/fgxb20173806.0753    

      中图分类号: TN383;TH691.9
    • 纸质出版日期:2017-6-5

      收稿日期:2017-1-3

      修回日期:2017-2-19

    扫 描 看 全 文

  • 刘明哲, 李鹏翀, 邓高强等. 6H-SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备[J]. 发光学报, 2017,38(6): 753-759 DOI: 10.3788/fgxb20173806.0753.

    LIU Ming-zhe, LI Peng-chong, DENG Gao-qiang etc. Fabrication of Vertical Structure Ultraviolet LED on 6H-SiC Substrate[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2017,38(6): 753-759 DOI: 10.3788/fgxb20173806.0753.

  •  
  •  

0

浏览量

56

下载量

1

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

不规则H形量子势垒增强AlGaN基深紫外发光二极管性能
MOCVD法制备BGaN薄膜
量子阱层和垒层具有不同Al组分的270/290/330 nm AlGaN基深紫外LED光电性能
高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨
一种基于AlGaN和石墨烯的紫外-红外双色探测器

相关作者

代广珍
吕琛
MSADDIQUEA K
郎婧
许福军
郎艺
鲁麟
王永忠

相关机构

安徽工程大学 外国语学院
北京大学物理学院 宽禁带半导体研究中心
安徽工程大学 电气工程学院
安徽工程大学 高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室
吉林大学 电子科学与工程学院, 集成光电子学国家重点联合实验室
0