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不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • 不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析

    • Degradation Analysis of Mid-power GaN-based LEDs with Different Package Materials

    • 发光学报   2016年37卷第10期 页码:1230-1236
    • DOI:10.3788/fgxb20163710.1230    

      中图分类号: TN383+.1
    • 纸质出版日期:2016-10-5

      收稿日期:2016-4-28

      修回日期:2016-5-22

    扫 描 看 全 文

  • 符佳佳, 曹海城, 赵丽霞等. 不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析[J]. 发光学报, 2016,37(10): 1230-1236 DOI: 10.3788/fgxb20163710.1230.

    FU Jia-iia, CAO Hai-cheng, ZHAO Li-xia etc. Degradation Analysis of Mid-power GaN-based LEDs with Different Package Materials[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016,37(10): 1230-1236 DOI: 10.3788/fgxb20163710.1230.

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