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具有隧道结的镓极性GaN基倒置LED仿真研究
更新时间：2026-10-13

    • 具有隧道结的镓极性GaN基倒置LED仿真研究

    • Simulation Study of Ga-polar GaN based Inverted LED with Tunnel Junction

    • 发光学报   2026年 页码：1-8

    • DOI：10.3724/CJL.20260267    

      中图分类号：
    • CSTR：32170.14.CJL.20260267    

    • 网络首发：2026-10-13，

    移动端阅览

  • 赵通,左长财,赵敬凯等.具有隧道结的镓极性GaN基倒置LED仿真研究[J].发光学报, DOI：10.3724/CJL.20260267 CSTR： 32170.14.CJL.20260267.

    ZHAO Tong,ZUO Changcai,ZHAO Jingkai,et al.Simulation Study of Ga-polar GaN based Inverted LED with Tunnel Junction[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.3724/CJL.20260267 CSTR： 32170.14.CJL.20260267.

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