摘要
في الوقت الحالي، تواجه تحسينات أداء LED التقليدي من نوع GaN العديد من العوائق، مثل انخفاض الكفاءة وسوء التلامس مع GaN من النوع p. يقترح هذا العمل هيكل LED مقلوب مستند إلى GaN من النوع GaN ذو القطبية الجاليوم مع وصلة نفق (Tunnel Junction, TJ) حيث تكون الطبقة من النوع p في الأسفل وطبقة النوع n في الأعلى (TJ-Inversion LED). بالمقارنة مع LED التقليدي من نوع GaN ذي القطبية الجاليوم، زادت طاقة الإخراج الضوئي لـ TJ-Inversion LED بنسبة 64%، وبلغت الكفاءة الكمومية الداخلية أقصاها 67.8%، وانخفض تأثير الانخفاض (droop) إلى 5.6% فقط عند كثافة تيار 400 أمبير لكل سم مربع. تظهر الدراسة المحاكاة أن TJ-Inversion LED يغير اتجاه تدفق التيار لجعل المجال الكهربائي الخارجي معاكسًا لاتجاه المجال الاستقطابي، مما يقلل من مجال البئر الكمومية، ويزيد من تداخل دوال الموجة للإلكترونات والفجوات ومعدل إعادة التركيب الإشعاعي، مما يخفف بفعالية مشكلة انخفاض الكفاءة الناتجة عن المجال الاستقطابي القوي. يقدم هذا العمل فكرة جديدة لتصميم LED عالي الأداء معتمد على GaN.
关键词
GaN;القطبية الجاليومية;LED مقلوب;وصلة نفق
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website