确定半导体禁带宽度的光谱方法

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确定半导体禁带宽度的光谱方法

发光学基础知识 | 更新时间：2026-09-12

- 确定半导体禁带宽度的光谱方法
  增强出版
- Optical Spectroscopy Methods for Determining Semiconductor Bandgaps
- 发光学报 2025年46卷第7期页码：1271-1282
- 作者机构：
  
  Department of Electrical and Computer Engineering， University of North Carolina at Charlotte， Charlotte， NC 28223， USA
- 作者简介：
  
  张勇，（1960-），男，福建福州人，博士，讲席教授，1994 年于 Dartmouth Col⁃lege 获得博士学位，主要从事半导体光电材料物理与器件物理的研究。E-mail： yong.zhang@charlotte.edu
- 基金信息：
  
  北卡罗来纳大学夏洛特分校Bissell杰出教授捐赠基金
- DOI：10.37188/CJL.EN20240013
  中图分类号： TN304
- CSTR：32170.14.CJL.EN20240013
- 收稿：2024-10-10，
  
  修回：2024-12-23，
  
  纸质出版：2025-07-25
- 稿件说明：
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张勇.确定半导体禁带宽度的光谱方法[J].发光学报,2025,46(07):1271-1282.

ZHANG Yong.Optical Spectroscopy Methods for Determining Semiconductor Bandgaps[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(07):1271-1282.
张勇.确定半导体禁带宽度的光谱方法[J].发光学报,2025,46(07):1271-1282. DOI： 10.37188/CJL.EN20240013. CSTR： 32170.14.CJL.EN20240013.

ZHANG Yong.Optical Spectroscopy Methods for Determining Semiconductor Bandgaps[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(07):1271-1282. DOI： 10.37188/CJL.EN20240013. CSTR： 32170.14.CJL.EN20240013.

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