基于InGaN/AlGaN/GaN量子阱有源区的520 nm绿光激光二极管

李暄; 刘建平; 田爱琴; 胡磊; 黄思溢; 任霄钰; 周伟; 王旦; 杨辉

doi:10.37188/CJL.20260147

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基于InGaN/AlGaN/GaN量子阱有源区的520 nm绿光激光二极管

更新时间：2026-05-13

- 基于InGaN/AlGaN/GaN量子阱有源区的520 nm绿光激光二极管
  增强出版
- Realization of 520 nm Green Laser Diodes with InGaN/AlGaN/GaN Multiple Quantum Well Active Region
- 发光学报 2026年页码：1-8
- 作者机构：
  
  1.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏苏州 215123
  2.苏州镓锐芯光科技有限公司，江苏苏州 215004
- 作者简介：
  
  李暄（1995-），女，河北邯郸人，博士，2023年于中国科学技术大学获得博士学位，主要从事GaN基激光器生长、表征与可靠性的研究。E-mail： xli2019@sinano.ac.cn
  刘建平（1976-），男，江西上饶人，博士，研究员，博士生导师，2004年于中国科学院半导体研究所获得博士学位，主要从事GaN基材料与器件和MOCVD技术的研究。E-mail： jpliu2010@sinano.ac.cn
  田爱琴（1989-），女，山东菏泽人，博士，项目研究员，硕士生导师，2017年于中国科学院大学获得博士学位，主要从事GaN基光电子材料与器件的研究。E-mail： aqtian2012@sinano.ac.cn
- 基金信息：
  
  Advanced Materials-National Science and Technology Major Project(2024ZD0605200);National Key Research and Development Program of China(2024YFB3612201);National Natural Science Foundation of China(U21A20493);Basic Research Program of Jiangsu(BK20232042);the Basic Research Program of Suzhou(SSD2024002);Major basic research project of Natural Science Foundation of Shandong Province(ZR2023ZD01)
- DOI：10.37188/CJL.20260147
  中图分类号： Document
- CSTR：32170.14.CJL.20260147
- 网络首发：2026-05-13，
- 稿件说明：
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李暄,刘建平,田爱琴等.基于InGaN/AlGaN/GaN量子阱有源区的520 nm绿光激光二极管[J].发光学报,

LI Xuan,LIU Jianping,TIAN Aiqin,et al.Realization of 520 nm Green Laser Diodes with InGaN/AlGaN/GaN Multiple Quantum Well Active Region[J].Chinese Journal of Luminescence,
李暄,刘建平,田爱琴等.基于InGaN/AlGaN/GaN量子阱有源区的520 nm绿光激光二极管[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20260147 CSTR： 32170.14.CJL.20260147.

LI Xuan,LIU Jianping,TIAN Aiqin,et al.Realization of 520 nm Green Laser Diodes with InGaN/AlGaN/GaN Multiple Quantum Well Active Region[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20260147 CSTR： 32170.14.CJL.20260147.

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Realization of 520 nm Green Laser Diodes with InGaN/AlGaN/GaN Multiple Quantum Well Active Region

DOI：10.37188/CJL.20260147