Существует проблема "зеленого разрыва" в зеленых лазерных диодах, то есть низкая фотопреобразовательная эффективность устройств в диапазоне зеленого света, основная причина которой заключается в трудностях изготовления высококачественной активной области квантовых ям. В данной статье разработана и выращена новая структура активной области квантовых ям InGaN/AlGaN/GaN. Благодаря защитному действию покрывающего слоя AlGaN значительно улучшена морфология поверхности многоквантовых ям, успешно изготовлена активная область желтых многоквантовых ям с корневой среднеквадратичной шероховатостью, сниженной до 0,5 нм. На основе этой активной области изготовлен зеленый лазерный диод InGaN/AlGaN/GaN с длиной возбуждения 520 нм. При токе 2 А наклонная эффективность достигает 0,36 Вт/А, выходная световая мощность достигает 180 мВт.

MOCVD;GaN;лазерный диод;покрывающий слой AlGaN