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基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管
更新时间:2025-02-18
    • 基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管

      增强出版
    • High-resolution And High-performance Quantum Dots Light-emitting Diode Based On Nanoimprint

    • 在量子点发光二极管领域,研究人员采用纳米压印技术制备蜂窝状PMMA薄膜作为电荷阻挡层,成功提升了红色QLED器件的外量子效率和亮度。
    • 发光学报   2025年 页码:1-9
    • DOI:10.37188/CJL.20250009    

      中图分类号:
    • CSTR:32170.14.CJL.    
    • 收稿日期:2025-01-09

      网络出版日期:2025-02-17

    移动端阅览

  • 黄兴云,谢潇婷,杨开宇等.基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管[J].发光学报, DOI:10.37188/CJL.20250009 CSTR: 32170.14.CJL..

    Huang Xingyun,Xie Xiaoting,Yang Kaiyu,et al.High-resolution And High-performance Quantum Dots Light-emitting Diode Based On Nanoimprint[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI:10.37188/CJL.20250009 CSTR: 32170.14.CJL..

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