Actualmente, los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (Quantum dot light-emitting diode, QLED) de alta resolución fabricados mediante diversas técnicas de patrón de puntos cuánticos enfrentan generalmente el problema de baja eficiencia, principalmente debido a la alta corriente de fuga entre píxeles. Para resolver este problema, este artículo utiliza la técnica de nanoimprenta para preparar una película de polimetilmetacrilato (Poly(methyl methacrylate), PMMA) en forma de panal, que se aplica como capa de bloqueo de carga en la capa emisora de QLED, obteniendo con éxito un dispositivo QLED rojo con una resolución de 8467 píxeles por pulgada (Pixel per inch, PPI). Gracias a las buenas propiedades aislantes del PMMA, la capa de bloqueo de carga logró aislar el contacto directo entre la capa de transporte de electrones y la capa de transporte de huecos, lo que redujo significativamente la corriente de fuga comparado con dispositivos sin capa de bloqueo, mejorando considerablemente la eficiencia cuántica externa (External quantum efficiency, EQE), alcanzando un máximo del 15,31% y un brillo máximo de 100274 cd/m².

Diodo emisor de luz de puntos cuánticos (QLED); nanoimpresión; alta resolución; capa de bloqueo de carga