ZnO基器件中的负光电导特性研究

张晴怡; 杨羽欣; 刘凯; 王雷; 陈峰; 徐春祥

doi:10.37188/CJL.20240270

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ZnO基器件中的负光电导特性研究

特邀报告 | 更新时间：2025-04-21

- ZnO基器件中的负光电导特性研究
  增强出版
- Negative Photoconductivity in ZnO Devices
- 发光学报 2025年46卷第4期页码：582-596
- 作者机构：
  
  1.南京工业大学数理科学学院，江苏南京 211816
  2.南京工业大学 2011学院，江苏南京 211816
  3.东南大学电子科学与工程学院，江苏南京 210096
- 作者简介：
  
  [ "张晴怡（2001-），女，河北邯郸人，硕士研究生，2023年于合肥师范学院获得学士学位，主要从事钙钛矿发光材料与器件的研究。 E-mail： 202361121022@njtech.edu.cn" ]
  [ "陈峰（1987-），男，安徽亳州人，博士，副教授，硕士生导师，2019 年于东南大学获得博士学位，主要从事微/纳半导体材料制备与光电功能器件设计。 Email： fengchenzql@njtech.edu.cn" ]
  [ "徐春祥（1965-），男，江苏兴化人，博士，教授，博士生导师，1997年于中国科学院长春物理研究所获得博士学位，主要从事纳米光电功能材料与器件的研究。 E-mail： xcxseu@seu.edu.cn" ]
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(62104103;62275120)
- DOI：10.37188/CJL.20240270
  中图分类号： O482.31
- CSTR：32170. 14. CJL. 20240270
- 收稿日期：2024-10-20，
  
  修回日期：2024-11-05，
  
  纸质出版日期：2025-04-25
- 稿件说明：
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张晴怡,杨羽欣,刘凯等.ZnO基器件中的负光电导特性研究[J].发光学报,2025,46(04):582-596.

ZHANG Qingyi,YANG Yuxin,LIU Kai,et al.Negative Photoconductivity in ZnO Devices[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(04):582-596.
张晴怡,杨羽欣,刘凯等.ZnO基器件中的负光电导特性研究[J].发光学报,2025,46(04):582-596. DOI： 10.37188/CJL.20240270. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240270.

ZHANG Qingyi,YANG Yuxin,LIU Kai,et al.Negative Photoconductivity in ZnO Devices[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(04):582-596. DOI： 10.37188/CJL.20240270. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240270.

摘要

作为第三代半导体电子器件中最著名的n型金属氧化物之一，氧化锌因具有高检出率、高光学增益、高灵敏度等特点常用于高性能紫外光电探测器的构筑。氧化锌的光电导行为强烈依赖于其表界面性质和导带附近的缺陷态对光生载流子的捕获和去捕获。研究发现，由于载流子的损耗和缺陷捕获，在ZnO器件中还能够观察到持续光电导现象（Persistent photoconductivity）甚至负光电导（Negative photoconductivity，NPC）效应。本文从ZnO器件的正光电导机理出发，详细介绍了ZnO基器件中在不同制备条件和环境温度、不同驱动方式、介质复合和异质结构中观察到的负光电导现象及其产生负光电导效应的微观物理机制。氧化锌负光电导特性的研究可为构建高效逻辑电路、发光二极管、太阳能电池和超高分辨率成像传感器提供新思路。

Abstract

As one of the best-known n-type metal oxides in third-generation semiconductor electronic devices， in particular， with its high detection rate， high optical gain， and high sensitivity， ZnO is commonly used in the construction of high-performance ultraviolet photodetectors. The photoconductivity behavior of zinc oxide strongly depends on its surface interface properties， the trapping and detrapping of photogenerated carriers by defect states near the conduction band. Researches have found that persistent photoconductivity and even negative photoconductivity（NPC） effects can be observed in ZnO devices due to carrier loss and defect trapping. This paper starts from the positive photoconductivity mechanism of ZnO devices， and provides a detailed introduction to the negative photoconductivity phenomena observed in ZnO-based devices under different preparation conditions and ambient temperatures， different driving methods， dielectric recombination， and heterostructures， as well as the microscopic physical mechanisms responsible for the negative photoconductivity effect. Underlying the NPC effect of ZnO can provide a feasible approach for constructing highly efficiency logic circuits， light-emitting diodes， solar cells， and ultra-high resolution imaging sensors.

关键词

Keywords

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