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Al/Ga离子替换提升Ni2+掺杂尖晶石结构MgAlxGa2-xO4近红外二区发光特性研究
更新时间:2024-09-13
    • Al/Ga离子替换提升Ni2+掺杂尖晶石结构MgAlxGa2-xO4近红外二区发光特性研究

      增强出版
    • Enhanced near-infrared II emission in MgAlxGa2-xO4: Ni2+ phosphor via Al/Ga Ions Substitution

    • 在成像和检测领域,科学家们通过高温固相法制备了新型MgAlxGa2-xO4:Ni2+荧光材料,实现了高效近红外二区发光,为光谱技术应用带来新突破。
    • 发光学报   2024年 页码:1-9
    • DOI:10.37188/CJL.20240194    

      中图分类号: O482.31
    • 网络出版日期:2024-09-13

    移动端阅览

  • 杨宜晨,吕伟,康晓娇.Al/Ga离子替换提升Ni2+掺杂尖晶石结构MgAlxGa2-xO4近红外二区发光特性研究[J].发光学报, DOI:10.37188/CJL.20240194

    Yang Yi-chen,Wei Lü,Kang Xiao-jiao.Enhanced near-infrared II emission in MgAlxGa2-xO4: Ni2+ phosphor via Al/Ga Ions Substitution[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI:10.37188/CJL.20240194

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