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1.55 μm高功率单横模半导体激光器的研制
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-08-06
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    • 1.55 μm高功率单横模半导体激光器的研制

      增强出版

    • Research and Fabrication of 1.55 μm High Power Single Transverse Mode Laser

    • “在光电子集成应用领域，研究人员通过优化激光器外延P-InP掺杂和采用锥形波导结构，成功研制出低功耗高功率半导体激光器，为提升系统工作距离和接收端信噪比提供解决方案。”
    • 发光学报   2024年45卷第7期 页码：1189-1195

    • DOI：10.37188/CJL.20240088    

      中图分类号： O472

    • 纸质出版日期：2024-07-25，

      收稿日期：2024-03-29，

      修回日期：2024-04-16，

    扫 描 看 全 文

  • 薛正群,池炳坤,陈玉萍.1.55 μm高功率单横模半导体激光器的研制[J].发光学报,2024,45(07):1189-1195. DOI： 10.37188/CJL.20240088.

    XUE Zhengqun,CHI Bingkun,CHEN Yuping.Research and Fabrication of 1.55 μm High Power Single Transverse Mode Laser[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(07):1189-1195. DOI： 10.37188/CJL.20240088.

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福州大学 物理与信息工程学院
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中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室
集成光电子学国家重点联合实验室 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012
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