Los láseres semiconductores de alta potencia de 1.55 μm se utilizan ampliamente en redes ópticas troncales de larga distancia, conducción autónoma y otros campos. En sistemas de aplicación, una mayor potencia de salida del láser favorece el aumento del alcance del sistema y la relación señal-ruido en el receptor; con el rápido desarrollo de la integración optoelectrónica y el empaquetado óptico conjunto, la alta densidad de integración optoelectrónica requiere que el láser tenga características como bajo consumo de energía. Este artículo optimiza el dopaje P-InP de la epitaxia del láser, reduciendo la resistencia en serie del láser a temperatura ambiente de 3,2 Ω a 2,2 Ω, las características resistivas del dispositivo son mejores que las del dispositivo comparable con la misma estructura; a 300 mA, el consumo eléctrico del dispositivo se reduce de 510 mW a 430 mW. Además, se adopta una estructura de guía de onda cónica para aumentar el volumen del medio de ganancia del láser, los resultados de las pruebas muestran que la estructura de guía de onda cónica aumenta la potencia de salida del láser en más del 17%, sin un aumento significativo en el consumo eléctrico; a baja corriente y temperatura ambiente, la eficiencia máxima de conversión fotoeléctrica del dispositivo se acerca al 50%, comparable a los mejores valores reportados; los resultados de la prueba de campo lejano muestran una reducción efectiva del ángulo de divergencia horizontal del láser, mientras que la calidad del haz del dispositivo no cambia significativamente. Los resultados experimentales proporcionan una base de investigación para láseres semiconductores de alta potencia y bajo consumo para aplicaciones de integración optoelectrónica.

1.55 μm;InP/InGaAsP;láser de alta potencia;dopaje tipo p;guía de onda cónica