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4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响研究
更新时间:2024-04-15
    • 4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响研究

      增强出版
    • The Effects of Growth Parameters on the Stimulated Emission Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates

    • 在深紫外激光器领域,研究人员通过金属有机化学气相沉积法在4H-SiC衬底上成功生长了AlGaN/AlN多量子阱结构。通过优化生长参数,实现了高内量子效率和低激射阈值,为高性能AlGaN基深紫外激光器的制备提供了重要参考。
    • 发光学报   2024年 页码:1-11
    • DOI:10.37188/CJL.20240080    

      中图分类号:
    • 网络出版日期:2024-04-15

      收稿日期:2024-03-26

    扫 描 看 全 文

  • 张睿洁,郭亚楠,吴涵等.4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响研究[J].发光学报, DOI:10.37188/CJL.20240080

    ZHANG Ruijie,GUO Yanan,WU Han,et al.The Effects of Growth Parameters on the Stimulated Emission Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI:10.37188/CJL.20240080

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