تأثير معايير النمو على خصائص الإشعاع المحفز للآبار الكمية المتعددة العميقة فوق البنفسجية القائمة على AlGaN على ركيزة 4H-SiC
摘要
يُعتبر ركيزة SiC خيارًا جيدًا لتحضير ليزرات العميق فوق البنفسجي ذات الأداء العالي القائمة على AlGaN. تم نمو هيكل آبار كمية متعددة (MQWs) من AlGaN/AlN فوق ركيزة 4H-SiC باستخدام طريقة التبخير الكيميائي للبخار المعدني العضوي، وتمت دراسة تأثير معايير نمو MQWs على خصائص الإشعاع التلقائي والمحفز للهيكل الليزري العميق فوق البنفسجي بشكل منهجي. بعد تحليل شامل لمورفولوجيا السطح وأداء الانبعاث الضوئي لـ MQWs، وُجد أنه مع زيادة تدفق NH3 وارتفاع درجة حرارة النمو، تقل خشونة سطح MQWs وتتحسن كفاءة الكم الداخلي. بعد التحسين، بلغت كفاءة الكم الداخلي لـ MQWs 74.1%، وقوة عتبة الليزر الكهروضوئية وعرض الخط عند درجة حرارة الغرفة كانت 1.03 ميغاواط/سم2 و1.82 نانومتر على التوالي، وطول موجة الانبعاث 248.8 نانومتر. ويُعزى ذلك أساسًا إلى أن تدفق NH3 العالي ودرجة حرارة النمو تمنع دمج شوائب الكربون في المنطقة الفعالة، مما يزيد من كفاءة إعادة التركيب الإشعاعي الناقل للموجات وزيادة كسب المادة؛ وفي الوقت نفسه، يقل معدل النمو، مما يحسن مورفولوجيا سطح بنية MQWs ويقلل خسائر التشتت على الحدود. تم إعداد تجويف رنان أملس وشديد الانحدار باستخدام عملية مركبة من النقش الجاف والتآكل الرطب، مما أدى إلى تقليل خسائر سطح التجويف وتقليل عتبة قوة الليزر وعرض الخط إلى 889 كيلوواط/سم2 و1.39 نانومتر على التوالي.
关键词
AlGaN;SiC;ليزر مضخم بمضخة ضوئية;نسبة V/III;درجة حرارة النمو
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website