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硅基InGaN/GaN多量子阱微盘器件的发光、探测和数据传输
器件制备及器件物理 | 更新时间:2024-07-10
    • 硅基InGaN/GaN多量子阱微盘器件的发光、探测和数据传输

      增强出版
    • Light Emission, Detection and Data Transmission in Silicon-based InGaN/GaN Multi-quantum Well Microdisk Device

    • 最新研究进展:硅片上集成的InGaN/GaN多量子阱阵列器件,实现电驱动光源与探测器的一体化,为光通信领域提供新解决方案。
    • 发光学报   2024年45卷第6期 页码:978-985
    • DOI:10.37188/CJL.20240064    

      中图分类号: O482.31
    • 纸质出版日期:2024-06-25

      收稿日期:2024-03-13

      修回日期:2024-03-26

    扫 描 看 全 文

  • 秦飞飞,卢雪瑶,王潇璇等.硅基InGaN/GaN多量子阱微盘器件的发光、探测和数据传输[J].发光学报,2024,45(06):978-985. DOI: 10.37188/CJL.20240064.

    QIN Feifei,LU Xueyao,WANG Xiaoxuan,et al.Light Emission, Detection and Data Transmission in Silicon-based InGaN/GaN Multi-quantum Well Microdisk Device[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(06):978-985. DOI: 10.37188/CJL.20240064.

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