Интеграция источника света и детектора эффективно способствует развитию легких и компактных оптоэлектронных систем. Явление сосуществования излучения и обнаружения в устройствах с многоквантовыми ямами InGaN/GaN открывает возможности для проектирования интегрированных чипов для передачи и приема. В данной работе с использованием стандартной полупроводниковой технологии были изготовлены интегрированные на кремниевой пластине круговые массивы устройств с многоквантовыми ямами InGaN/GaN, а также исследованы их световые, детектирующие и основные коммутационные характеристики. Режимы резонанса в микродисковых устройствах способствуют улучшению характеристик обнаружения, а изотропные излучательные свойства помогают пространственному сопряжению источника и детектора. В качестве источника света рабочее напряжение устройства составляет 2,5 В, центральная длина волны — 455 нм, полоса пропускания -3 дБ равна 5,4 МГц. В режиме детектора устройство реагирует на ультрафиолетовый и синий диапазоны света, при этом чувствительность снижается с увеличением длины волны, предельная длина волны — 450 нм. При возбуждении источником 365 нм устройство демонстрирует максимальное отношение переключения 7,2×10^4, время спада 0,41 мс. Одновременно на основе одного микродискового устройства была построена и продемонстрирована полудуплексная система связи, обеспечивающая передачу данных на различных частотах. Это исследование имеет важное значение для производства электроуправляемых световых источников и интегрированной оптической связи для передачи и приема.

Кремний InGaN/GaN; многоквантовые ямы; излучение и детектирование; полудуплексная связь