透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能

田苗苗; 范 翊; 刘星元

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透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能
- Fabrication and Characteristics of Transparent Conducting Bismuth-doped Thin Indium Oxide Film
- 发光学报 2010年31卷第4期页码：605-608
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
  2. 中国科学院研究生院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  吉林省科技发展计划重点项目(20090346)资助()
- DOI：
  中图分类号： TN383.1;O484.4
- 收稿：2010-01-20，
  
  修回：2010-3-24，
  
  网络首发：2010-08-27，
  
  纸质出版：2010-08-27
- 稿件说明：
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田苗苗, 范翊, 刘星元. 透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能[J]. 发光学报, 2010,31(4): 605-608

TIAN Miao-miao, FAN Yi, LIU Xing-yuan. Fabrication and Characteristics of Transparent Conducting Bismuth-doped Thin Indium Oxide Film[J]. 发光学报, 2010,31(4): 605-608
田苗苗, 范翊, 刘星元. 透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能[J]. 发光学报, 2010,31(4): 605-608 DOI：

TIAN Miao-miao, FAN Yi, LIU Xing-yuan. Fabrication and Characteristics of Transparent Conducting Bismuth-doped Thin Indium Oxide Film[J]. 发光学报, 2010,31(4): 605-608 DOI：

摘要

以氧化铟为主体材料

以铋为掺杂材料

采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜(IBO)。实验表明:IBO薄膜具有良好的表面形貌

载流子浓度为3.955

times;10

-3

载流子迁移率达到50.21 cm

middot;V

-1

middot;s

-1

电导率为 3.143

times;10

-3

Omega;

middot;cm

在可见光范围内的平均透过率超过82%

功函数为4.76 eV。采用其作为阳极制作的OLED得到最大亮度30 230 cd/m

最大电流效率为5.1 cd/A。结果表明IBO是一种良好的光电器件阳极材料。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

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