磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率

姜德龙; 王 新; 向 嵘; 王国政; 田景全

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磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率
- Deposition Rate of Thin Silicon Oxide Film by Magnetron Sputtering Method
- 发光学报 2009年30卷第6期页码：888-891
- 作者机构：
  
  长春理工大学理学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O484.1
- 收稿：2009-05-11，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2009-12-30，
  
  纸质出版：2009-12-30
- 稿件说明：
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姜德龙, 王新, 向嵘, 等. 磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率[J]. 发光学报, 2009,30(6):888-891.

JIANG De-long, WANG Xin, XIANG Rong, et al. Deposition Rate of Thin Silicon Oxide Film by Magnetron Sputtering Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(6): 888-891.
姜德龙, 王新, 向嵘, 等. 磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率[J]. 发光学报, 2009,30(6):888-891. DOI：

JIANG De-long, WANG Xin, XIANG Rong, et al. Deposition Rate of Thin Silicon Oxide Film by Magnetron Sputtering Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(6): 888-891. DOI：

摘要

氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料

通常采用化学气相沉积方法制备。但是这种制备方法存在缺欠。采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜。研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响。发现沉积速率随着射频功率的增加而增加;随着氧气含量的增加

先减小后增大;当溅射压强在0.4~0.8 Pa之间变化时

沉积速率变化很小

当溅射压强超过0.8 Pa时沉积速率迅速下降。讨论了不同生长条件下造成氧化硅薄膜生长速率变化的原因。

Abstract

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关键词

Keywords

references

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