利用脉冲激光沉积法制备高Mg掺杂的六方相MgZnO薄膜

朱德亮; 陈吉星; 曹培江; 贾芳; 柳文军; 马晓翠; 吕有明

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利用脉冲激光沉积法制备高Mg掺杂的六方相MgZnO薄膜

材料合成及性能 | 更新时间：2020-08-12

- 利用脉冲激光沉积法制备高Mg掺杂的六方相MgZnO薄膜
- Heavily Mg-doped Hexagonal Phase Thin ZnO Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
- 发光学报 2010年31卷第2期页码：223-226
- 作者机构：
  
  深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室, 广东深圳 518060
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(10674133，10604041)();广东省自然科学基金(8151806001000009)();深圳市产学研科技合作(Y2005002)();深
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2009-09-25，
  
  修回：2010-1-24，
  
  纸质出版：2010
- 稿件说明：
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朱德亮, 陈吉星, 曹培江, 贾芳, 柳文军, 马晓翠, 吕有明. 利用脉冲激光沉积法制备高Mg掺杂的六方相MgZnO薄膜[J]. 发光学报, 2010,31(2): 223-226

ZHU De-liang, CHEN Ji-xing, CAO Pei-jiang, JIA Fang, LIU Wen-jun, MA Xiao-cui, LU You-ming. Heavily Mg-doped Hexagonal Phase Thin ZnO Films Prepared by Pulsed Laser Deposition[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010,31(2): 223-226
朱德亮, 陈吉星, 曹培江, 贾芳, 柳文军, 马晓翠, 吕有明. 利用脉冲激光沉积法制备高Mg掺杂的六方相MgZnO薄膜[J]. 发光学报, 2010,31(2): 223-226 DOI：

ZHU De-liang, CHEN Ji-xing, CAO Pei-jiang, JIA Fang, LIU Wen-jun, MA Xiao-cui, LU You-ming. Heavily Mg-doped Hexagonal Phase Thin ZnO Films Prepared by Pulsed Laser Deposition[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010,31(2): 223-226 DOI：

摘要

选用Mg

0.2

0.8

O陶瓷靶，利用脉冲激光沉积(PLD)法，在单晶Si(100)和石英衬底上生长了一系列MgZnO薄膜(MZO)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)和紫外可见光透射光谱(UV-Vis)等实验手段，研究了在不同工作压强下生长的薄膜样品的晶体结构、微观形貌和光学性能的变化。结果表明:所有的薄膜样品都是单一的ZnO六方相，禁带宽度随生长压强的升高而增加，变化范围在3.83~4.05 eV之间，最短吸收边接近300 nm。

Abstract

关键词

Keywords

references

Mingsong W, Eui J K, Sunwook K. Optical and structural properties of sol-gel prepared MgZnO alloy thin films [J]. Thin Solid Films, 2008, 516(6):1124-1129.[2] Zhou Jun, Fang Qingqing， Wang Baoming, et al. Preparation and luminescence properties of Zn1-xMgxO thin films by sol-gel method [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2008, 29(6):1036-1040 (in Chinese).[3] Sanjeev K, Vinay G, Sreenivas K. Structural and optical properties of magnetron sputtered MgxZn1-xO thin films [J]. J. Phys.: Condens Matter, 2006, 18(6):3343-3354.[4] Dong X, Zhu H C, Zhang B L, et al. Regulate the content of magnesium in MgxZn1-xO films by vacuum anneal [J]. Vacuum, 2008, 82(5):535-538.[5] Wei Z P, Lu Y M, Shen D Z, et al. Effect of interface on luminescence properties in ZnO/MgZnO heterostructures [J]. J. Lumin., 2006, 119-120:551-555.[6] Su Shichen, Lu Youming, Zhang Zhenzhong, et al. Structural and optical properties of high quality MgxZn1-xO films grown by P-MBE [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2008, 29(2):309-312 (in Chinese).[7] Jin C M, Roger J. Structural and optical properties of hexagonal MgxZn1-xO thin films [J]. J. Electron. Mater., 2006, 35(5):869-876.[8] Zhuang L, Wong K H. Microstructure and optical properties of MgxZn1-xO thin films grown by means of pulsed laser deposition [J]. Thin Solid Films, 2008, 516(16):5607-5611.[9] Yang W, Vispute R D, Choopun S, et al. Ultraviolet photoconductive detector based on epitaxial Mg0.34Zn0.66O thin films [J]. Appl. Phys. Lett., 2001, 78(18):2787-2789.[10] Krishnaprasad P S, Ragitha E K, Jayaraj M K. Structural and optical properties of Zn1-xMgxO films grown by pulsed laser deposition [J]. SPIE, 2008, 7067:70670E-1-11. [11] Wei W, Jin C, Yan R J. Growth-temperature-controlled optical properties of textured MgxZn1-xO thin films [J]. J. Electron. Mater., 2009, 38(4):613-617.

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