结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计

周 梅; 赵德刚

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结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计
- Effect of Structure Parameters on the Performances of GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors and Device Design
- 发光学报 2009年30卷第6期页码：824-831
- 作者机构：
  
  1. 中国农业大学理学院应用物理系
  2. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN364
- 收稿：2009-02-19，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2009-12-30，
  
  纸质出版：2009-12-30
- 稿件说明：
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周梅, 赵德刚. 结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计[J]. 发光学报, 2009,30(6):824-831.

ZHOU Mei, ZHAO De-gang. Effect of Structure Parameters on the Performances of GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors and Device Design[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(6): 824-831.
周梅, 赵德刚. 结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计[J]. 发光学报, 2009,30(6):824-831. DOI：

ZHOU Mei, ZHAO De-gang. Effect of Structure Parameters on the Performances of GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors and Device Design[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(6): 824-831. DOI：

摘要

研究了GaN肖特基结构(n

-GaN /n

-GaN)紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理。模拟计算结果表明:提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率

不仅可以增加器件的量子效率

而且可以极大地减小器件的暗电流;适当地增加n

-GaN层厚度和载流子浓度可以提高器件的量子效率

但减小n

-GaN层的载流子浓度却有利于减小器件的暗电流。我们针对实际应用的需要

提出了一个优化器件结构参数的设计方案

特别是如果实际应用中对器件的量子效率和暗电流都有较高的要求

肖特基势垒高度应该≥0.8 eV

-GaN层的厚度≥200 nm

载流子浓度1×10

-3

左右

表面复合速率＜1×10

cm/s。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

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