稀磁半导体材料居里温度的极值点

陈 余; 关玉琴; 赵春旺

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稀磁半导体材料居里温度的极值点

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 稀磁半导体材料居里温度的极值点
- Curie Temperature of Diluted Magnetic Semiconductor Material under The Anti-ferromagnetic Exchange
- 发光学报 2009年30卷第5期页码：702-705
- 作者机构：
  
  内蒙古工业大学理学院物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O472.5
- 收稿：2009-01-25，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2009-10-30，
  
  纸质出版：2009-10-30
- 稿件说明：
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陈余, 关玉琴, 赵春旺. 稀磁半导体材料居里温度的极值点[J]. 发光学报, 2009,30(5):702-705.

CHEN Yu, GUAN Yu-qin, ZHAO Chun-wang. Curie Temperature of Diluted Magnetic Semiconductor Material under The Anti-ferromagnetic Exchange[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(5): 702-705.
陈余, 关玉琴, 赵春旺. 稀磁半导体材料居里温度的极值点[J]. 发光学报, 2009,30(5):702-705. DOI：

CHEN Yu, GUAN Yu-qin, ZHAO Chun-wang. Curie Temperature of Diluted Magnetic Semiconductor Material under The Anti-ferromagnetic Exchange[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(5): 702-705. DOI：

摘要

以Zener模型为基础

考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响

理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数

对GaAs ∶

(Ga

)As (

=Sc

Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度有一个极大值

而p型掺杂是单调的递增。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

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