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稀磁半导体材料居里温度的极值点
论文 | 更新时间:2020-08-12
    • 稀磁半导体材料居里温度的极值点

    • Curie Temperature of Diluted Magnetic Semiconductor Material under The Anti-ferromagnetic Exchange

    • 发光学报   2009年30卷第5期 页码:702-705
    • 中图分类号: O472.5
    • 纸质出版日期:2009-10-30

      网络出版日期:2009-10-30

      收稿日期:2009-1-25

      修回日期:1900-1-2

    扫 描 看 全 文

  • 陈 余, 关玉琴, 赵春旺. 稀磁半导体材料居里温度的极值点[J]. 发光学报, 2009,30(5):702-705. DOI:

    CHEN Yu, GUAN Yu-qin, ZHAO Chun-wang. Curie Temperature of Diluted Magnetic Semiconductor Material under The Anti-ferromagnetic Exchange[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009,30(5):702-705. DOI:

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中国科学院 上海硅酸盐研究所, 上海 200050
中国科学院 研究生院, 北京 100039
内蒙古大学 物理科学与技术学院
北京交通大学光电子技术研究所
唐山师范学院, 初等教育学院
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