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GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征
半导体发光、激光和光电性质 | 更新时间:2020-08-11
    • GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征

    • Research on Material Characteristics of GaAlAs/GaAs Superluminence Diodes

    • 发光学报   2007年28卷第6期 页码:885-889
    • 中图分类号: O482.31
    • 纸质出版日期:2007-11-20

      收稿日期:2006-12-25

      修回日期:2007-3-24

    扫 描 看 全 文

  • 李梅, 李辉, 王玉霞, 刘国军, 曲轶. GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征[J]. 发光学报, 2007,28(6): 885-889 DOI:

    LI Mei, LI Hui, WANG Yu-xia, LIU Guo-jun, QU Yi. Research on Material Characteristics of GaAlAs/GaAs Superluminence Diodes[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(6): 885-889 DOI:

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相关机构

山东大学 微电子学院, 新一代半导体材料研究院
广 东省科学院 半导体研究所
山东浪潮华光光电子股份有限公司
长春师范大学 物理学院
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室
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