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1. 北京钢铁研究总院, 测试研究所
2. 北京化工厂荧光分厂, 北京100021
3. 清华大学材料科学院
收稿:1999-04-10,
修回:1999-8-23,
纸质出版:2000-02-29
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贾冬冬, 吴伯群, 姜联合, 朱静. Ca<sub>0.9</sub>Sr<sub>0.1</sub>S:Bi<sup>3+</sup>,Tm<sup>3+</sup>荧光材料的光学性质[J]. 发光学报, 2000,21(1): 43-47
JIA Dong-dong, WU Bo-qun, JIANG Lian-he, ZHU Jing. Luminescent Properties of Ca<sub>0.9</sub>Sr<sub>0.1</sub>S:Bi<sup>3+</sup>,Tm<sup>3+</sup> Phosphor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(1): 43-47
贾冬冬, 吴伯群, 姜联合, 朱静. Ca<sub>0.9</sub>Sr<sub>0.1</sub>S:Bi<sup>3+</sup>,Tm<sup>3+</sup>荧光材料的光学性质[J]. 发光学报, 2000,21(1): 43-47 DOI:
JIA Dong-dong, WU Bo-qun, JIANG Lian-he, ZHU Jing. Luminescent Properties of Ca<sub>0.9</sub>Sr<sub>0.1</sub>S:Bi<sup>3+</sup>,Tm<sup>3+</sup> Phosphor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(1): 43-47 DOI:
Ca
0.9
Sr
0.1
S:Bi
3+
Tm
是一种复合掺杂复合基质荧光材料。在此给出了440nm和520nm发射的激发谱
250nm到350nm的激发的发射谱
以及400nm到520nm的荧光衰减谱。紫外光区域的激发谱表明
有两个主要的能量传递体系
325nm的复合掺杂中心Tm
的CT跃迁激发体系
和Bi
的自身激发体系。紫外激发的荧光发射谱的中心发射波长在453nm处。在电子和空穴陷阱同时存在时
I
t
=
0
[(1+γ
et
)(1+γ
ht
)
]
-n
对于Ca
材料γ
h
=0.0168
γ
e
=0.0001
n=1.1。Tm
的电子陷阱深度约为0.5eV
比复合基质中的正离子空位的空穴陷阱要深。考虑复合基质材料的线性关系
电子陷阱的深度可表示为D
=β
-α
x
;空穴陷阱的深度可表示为
D
=(β
hc
hx
)x+(β
hs
)(1-x)。
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