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高功率半导体激光国家重点实验室
收稿:2000-05-25,
修回:2000-7-24,
纸质出版:2000-08-30
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杜宝勋. 量子阱半导体激光器阈值的理论分析[J]. 发光学报, 2000,21(3): 179-281
DU Bao-xun. Theoretical Analysis on Threshold of QW Semiconductor Lasers[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(3): 179-281
杜宝勋. 量子阱半导体激光器阈值的理论分析[J]. 发光学报, 2000,21(3): 179-281 DOI:
DU Bao-xun. Theoretical Analysis on Threshold of QW Semiconductor Lasers[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(3): 179-281 DOI:
分析了单量子阱(SQW)、多量子阱(MQW)和分别限制异质结构量子阱(SCH-SQW)半导体激光器的阈值.求出了表示光增益随注入载流子密度变化的方程.利用这个结果
得到了上述三种量子阱半导体激光器的阈值电流密度的表达式.
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