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MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究
研究报告 | 更新时间：2020-08-11

    • MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究

    • Relationship Between Structural Characteristics and Compensation Ratio in Unintentionally Doped GaN Grown by MOCVD

    • 发光学报   2000年21卷第1期 页码：33-37
    • 中图分类号： O472.3

    • 收稿：1999-07-20，

      修回：1999-12-27，

      纸质出版：2000-02-29

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  • 辛勇, 熊传兵, 彭学新, 王立, 姚冬敏, 李述体, 江风益. MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究[J]. 发光学报, 2000,21(1): 33-37 DOI：

    XIN Yong, XIONG Chuan-bing, PENG Xue-xin, WANG Li, YAO Dong-min, LI Shu-ti, JIANG Feng-yi. Relationship Between Structural Characteristics and Compensation Ratio in Unintentionally Doped GaN Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(1): 33-37 DOI：

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