GaN发光二极管的负电容现象

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GaN发光二极管的负电容现象

研究报告 | 更新时间：2020-08-11

- GaN发光二极管的负电容现象
- Negative Capacitance Effect of GaN LEDs
- 发光学报 2000年21卷第4期页码：338-341
- 作者机构：
  
  1. 北京大学物理学系人工微结构与介观物理国家重点实验室
  2. 天津大学应用物理学系
  3. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室资助;中科院半导体超晶格国家重点实验室的支持;国家自然科学基金资助(69789601;69876002)
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2000-01-28，
  
  修回：2000-6-26，
  
  纸质出版：2000-11-30
- 稿件说明：
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沈君, 王存达, 杨志坚, 秦志新, 童玉珍, 张国义, 李月霞, 李国华. GaN发光二极管的负电容现象[J]. 发光学报, 2000,21(4): 338-341

SHEN Jun, WANG Cun-da, YANG Zhi-jian, QIN Zhi-xin, TONG Yu-zhen, ZHANG Guo-yi, LI Yue-xia, LI Guo-hua. Negative Capacitance Effect of GaN LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(4): 338-341
沈君, 王存达, 杨志坚, 秦志新, 童玉珍, 张国义, 李月霞, 李国华. GaN发光二极管的负电容现象[J]. 发光学报, 2000,21(4): 338-341 DOI：

SHEN Jun, WANG Cun-da, YANG Zhi-jian, QIN Zhi-xin, TONG Yu-zhen, ZHANG Guo-yi, LI Yue-xia, LI Guo-hua. Negative Capacitance Effect of GaN LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(4): 338-341 DOI：

采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性

由此可以同时测量结电容和串联电阻

并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下

GaN二极管的结电容具有负值

并且测试频率越低

正向偏压越大

负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子-空穴复合发光有关。

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