ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究

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研究报告 | 更新时间：2020-08-11

- ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究
- Optical Characteristics of ZnCdSe/ZnSe Asymmetric Double Quantum Wells
- 发光学报 2000年21卷第4期页码：293-298
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家攀登计划;国家自然科学重大基金(69896260);国家自然科学基金;国家“863”高技术项目;中国科学院激发态物理开放研究实验室
- DOI：
  中图分类号： O472
- 收稿：2000-06-20，
  
  修回：2000-8-25，
  
  纸质出版：2000-11-30
- 稿件说明：
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范希武, 于广友, 张吉英, 杨宝均, 申德振. ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究[J]. 发光学报, 2000,21(4): 293-298

FAN X W, YU Guang-you, ZHANG Ji-ying, YANG Bao-jun, SHEN De-zhen. Optical Characteristics of ZnCdSe/ZnSe Asymmetric Double Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(4): 293-298
范希武, 于广友, 张吉英, 杨宝均, 申德振. ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究[J]. 发光学报, 2000,21(4): 293-298 DOI：

FAN X W, YU Guang-you, ZHANG Ji-ying, YANG Bao-jun, SHEN De-zhen. Optical Characteristics of ZnCdSe/ZnSe Asymmetric Double Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(4): 293-298 DOI：

用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果:在弱激发下

观测到ADQW结构中的激子隧穿现象;在强激发下

在ADQW结构中发现了一个内建电场

它将影响激子隧穿;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象;首次观测到该ADQW结构中来自宽阱的光泵受激发射。

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