您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
射频磁控反应溅射生长AlN薄膜
论文 | 更新时间:2020-08-11
    • 射频磁控反应溅射生长AlN薄膜

    • AlUMINUM NITRIDE THIN FILM PREPARED BY RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING

    • 发光学报   1999年20卷第2期 页码:165-169

    扫 描 看 全 文

  • 赵彦立, 钟国柱, 范希武, 李长华. 射频磁控反应溅射生长AlN薄膜[J]. 发光学报, 1999,20(2): 165-169 DOI:

    Zhao Yanli, Zhong Guozhu, Fan Xiwu, Li Changhua. AlUMINUM NITRIDE THIN FILM PREPARED BY RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(2): 165-169 DOI:

  •  
  •  

0

浏览量

32

下载量

2

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

硫化亚锡薄膜的可控制备及其光伏特性
旋涂法制备WO3薄膜电致变色性能
Tb3+离子与SnO2纳米晶体共掺杂SiO2薄膜荧光增强
Zn、Cu共掺杂TiO2:SiO2薄膜材料的光学性能研究
射频磁控溅射法制备的CaWO4:Yb3+薄膜及其发光性能研究

相关作者

暂无数据

相关机构

温州大学 数理与电子信息工程学院
宁波大学 信息科学与工程学院
华南理工大学 材料科学与工程学院, 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室
南京大学 固体微结构国家实验室
宁波大学 信息科学与工程学院
0