纳米SiC蓝光发射的研究

刘渝珍; 黄允兰; 石万全; 刘世祥; 姚德成; 张庶元; 韩一琴; 陆忠乾; 谭寿洪; 江东亮

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纳米SiC蓝光发射的研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 纳米SiC蓝光发射的研究
- A STUDY OF BLUE EMISSION FROM NANO SiC POWDERS
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：50-54
- 作者机构：
  
  1. 中国科学技术大学
  2. 中国科学技术大学研究生院北京,100039
  3. 中国科学院上海硅酸盐研究所上海,200050
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国科技大学研究生院院长择优基金
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1999-2-28，
  
  收稿日期：1998-2-6，
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刘渝珍, 黄允兰, 石万全, 刘世祥, 姚德成, 张庶元, 韩一琴, 陆忠乾, 谭寿洪, 江东亮. 纳米SiC蓝光发射的研究[J]. 发光学报, 1999,20(1): 50-54

Liu Yuzhen, Huang Yunlan, Shi Wanquan, Liu Shixiang, Yao Decheng, Zhang Shuyuan, Han Yiqin, Lu Zhongqian, Wang Dongliang. A STUDY OF BLUE EMISSION FROM NANO SiC POWDERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 50-54
刘渝珍, 黄允兰, 石万全, 刘世祥, 姚德成, 张庶元, 韩一琴, 陆忠乾, 谭寿洪, 江东亮. 纳米SiC蓝光发射的研究[J]. 发光学报, 1999,20(1): 50-54 DOI：

Liu Yuzhen, Huang Yunlan, Shi Wanquan, Liu Shixiang, Yao Decheng, Zhang Shuyuan, Han Yiqin, Lu Zhongqian, Wang Dongliang. A STUDY OF BLUE EMISSION FROM NANO SiC POWDERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 50-54 DOI：

摘要

在4.68eV的激光激发下

室温CVD合成的纳米SiC粉体

可发射475nm的蓝光

经600～1100℃在N

气氛下进行快速退火(RTA)处理

其荧光强度随退火温度升高而增强

当

≥900℃时

荧光强度下降

但发光峰位与退火温度无关。通过XRD、IR、TEM、XPS等研究

认为纳米SiC中与氧有关的缺陷可能是引起475nm蓝光发射的主要原因

Abstract

The nanometer SiC powders of 8～10nm were synthesized by CVD at 1100℃. A blue luminescence peaked at 2.61eV (～475nm) were observed from the SiC powders at room temperature. The powders were annealed at 600～1000℃ in dry N

atmosphere by the rapid thermal annealing (RTA). The peak intensity of blue luminescent increases as RTA temperature and decreases when the annealing temperature is higher than 900℃. With XRD

TEM

XPS analysis

we concluded that the blue PL emission is caused by oxygen deficiency defects in the SiC/SiO

interface.

关键词

纳米SiC粉体蓝色荧光快速热退火(RTA)

Keywords

nanometer SiC powdersblue luminescencerapid thermal annealing(RTA)

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