1.长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春 130022
2.长春理工大学 理学院,吉林 长春 130022
[ "李想(1994-),男,吉林榆树人,硕士研究生,2016年于大连民族大学获得学士学位,主要从事半导体材料表征方面的研究。E-mail: 416944265@qq.com" ]
李想(1994-),男,吉林榆树人,硕士研究生,2016年于大连民族大学获得学士学位,主要从事半导体材料表征方面的研究。E-mail: 416944265@qq.com
[ "唐吉龙(1977-),男,吉林长春人,博士,副研究员,博士研究生导师,2011年于长春理工大学获得博士学位,主要从事半导体材料外延生长与器件方面的研究。E-mail: jl_tangcust@163.com" ]
唐吉龙(1977-),男,吉林长春人,博士,副研究员,博士研究生导师,2011年于长春理工大学获得博士学位,主要从事半导体材料外延生长与器件方面的研究。E-mail: jl_tangcust@163.com
纸质出版日期:2021-05-01,
收稿日期:2021-02-09,
修回日期:2021-02-20,
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引用本文
李想, 亢玉彬, 唐吉龙, 等. Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响[J]. 发光学报, 2021, 42(5):629-634.
Xiang LI, Yu-bin KANG, Ji-long TANG, et al. Effect of Si Doping on Photoluminescence Properties of GaAs Nanowires[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021, 42(5):629-634.
李想, 亢玉彬, 唐吉龙, 等. Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响[J]. 发光学报, 2021, 42(5):629-634. DOI: 10.37188/CJL.20210059.
Xiang LI, Yu-bin KANG, Ji-long TANG, et al. Effect of Si Doping on Photoluminescence Properties of GaAs Nanowires[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021, 42(5):629-634. DOI: 10.37188/CJL.20210059.
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