王傲; 邹永刚; 李明宇; 陈拓; 常锴; 王小龙; 宫景丽; 石琳琳; 范杰; 郑舟; 马骁; 何建军

doi:10.37188/fgxb20204108.0977

English Version Light学术出版中心

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

高调谐效率V型腔可调谐半导体激光器设计与研究

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-09-10

- 高调谐效率V型腔可调谐半导体激光器设计与研究封面论文增强出版
- Design and Research of High Tuning Efficiency V-cavity Tunable Semiconductor Laser
- 发光学报 2020年 41卷第8期 (2020)
- 作者机构：
  
  长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,中国,130022;长春理工大学光电工程学院,吉林,长春,中国,130022;浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,中国,310027
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  吉林省教育厅(JJKH20190543KJ);吉林省科技发展计划(20180519018JH);吉林省科技发展计划(20190302053GX)
- DOI：10.37188/fgxb20204108.0977 中图分类号： TN248.4
- 纸质出版日期：2020-8，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2020-4-22，
  
  修回日期：，
  
  录用日期：2020-5-6
扫描看全文
引用本文
王傲, 邹永刚, 李明宇, 等. 高调谐效率V型腔可调谐半导体激光器设计与研究[J]. 发光学报, 2020, 41(8):977-983.

Ao WANG, Yong-gang ZOU, Ming-yu LI, et al. Design and Research of High Tuning Efficiency V-cavity Tunable Semiconductor Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(8):977-983.
王傲, 邹永刚, 李明宇, 等. 高调谐效率V型腔可调谐半导体激光器设计与研究[J]. 发光学报, 2020, 41(8):977-983. DOI： 10.37188/fgxb20204108.0977.

Ao WANG, Yong-gang ZOU, Ming-yu LI, et al. Design and Research of High Tuning Efficiency V-cavity Tunable Semiconductor Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(8):977-983. DOI： 10.37188/fgxb20204108.0977.

浏览量

下载量

总被引

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

920 nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计

980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析

量子阱半导体激光器阈值的理论分析

InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱激光器工作特性

高调谐效率V型腔可调谐半导体激光器设计与研究 封面论文 增强出版

高调谐效率V型腔可调谐半导体激光器设计与研究封面论文增强出版