1.吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室, 吉林 长春 130012
[ "刁肇悌(1998-),女,山东菏泽人,硕士研究生,2020年于山东大学获得学士学位,主要从事宽禁带半导体材料的研究。Email: Diaozt20@mails. jlu. edu. cn" ]
刁肇悌(1998-),女,山东菏泽人,硕士研究生,2020年于山东大学获得学士学位,主要从事宽禁带半导体材料的研究。Email: Diaozt20@mails. jlu. edu. cn
[ "董鑫(1980-),男,吉林桦甸人,博士,教授,2008 年于大连理工大学获得博士学位,主要从事宽禁带半导体材料及器件的研究。Email: dongx@jlu.edu.cn" ]
董鑫(1980-),男,吉林桦甸人,博士,教授,2008 年于大连理工大学获得博士学位,主要从事宽禁带半导体材料及器件的研究。Email: dongx@jlu.edu.cn
纸质出版日期:2022-07-05,
收稿日期:2021-12-20,
修回日期:2022-01-05,
扫 描 看 全 文
引用本文
刁肇悌,陈威,董鑫等.砷化镓热氧化法制备β⁃Ga2O3体块薄膜[J].发光学报,2022,43(07):1095-1101.
DIAO Zhao-ti,CHEN Wei,DONG Xin,et al.β-Ga2O3 Bulk Films Prepared by Thermal Oxidation of GaAs[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(07):1095-1101.
刁肇悌,陈威,董鑫等.砷化镓热氧化法制备β⁃Ga2O3体块薄膜[J].发光学报,2022,43(07):1095-1101. DOI: 10.37188/CJL.20210399.
DIAO Zhao-ti,CHEN Wei,DONG Xin,et al.β-Ga2O3 Bulk Films Prepared by Thermal Oxidation of GaAs[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(07):1095-1101. DOI: 10.37188/CJL.20210399.
0
浏览量
49
下载量
0
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构