1.吉林大学 电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,吉林 长春 130012
[ "李政达(1997-),男,吉林吉林人,硕士研究生,2020年于吉林大学获得学士学位,主要从事宽禁带半导体材料的研究。E-mail: lizd20@mails.jlu.edu.cn" ]
李政达(1997-),男,吉林吉林人,硕士研究生,2020年于吉林大学获得学士学位,主要从事宽禁带半导体材料的研究。E-mail: lizd20@mails.jlu.edu.cn
[ "董鑫(1980-),男,吉林桦甸人,博士,教授,2008年于大连理工大学获得博士学位,主要从事宽禁带半导体材料及器件的研究。E-mail: dongx@jlu.edu.cn" ]
董鑫(1980-),男,吉林桦甸人,博士,教授,2008年于大连理工大学获得博士学位,主要从事宽禁带半导体材料及器件的研究。E-mail: dongx@jlu.edu.cn
纸质出版日期:2022-04-01,
收稿日期:2021-12-18,
修回日期:2022-01-09,
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引用本文
李政达, 焦腾, 董鑫, 等. 高厚度n型β-Ga2O3薄膜的MOCVD制备[J]. 发光学报, 2022, 43(4):545-551.
Zheng-da LI, Teng JIAO, Xin DONG, et al. Preparation of n-type β-Ga2O3 Film with High Thickness by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022, 43(4):545-551.
李政达, 焦腾, 董鑫, 等. 高厚度n型β-Ga2O3薄膜的MOCVD制备[J]. 发光学报, 2022, 43(4):545-551. DOI: 10.37188/CJL.20210398.
Zheng-da LI, Teng JIAO, Xin DONG, et al. Preparation of n-type β-Ga2O3 Film with High Thickness by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022, 43(4):545-551. DOI: 10.37188/CJL.20210398.
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