1.长春理工大学 重庆研究院,重庆 401135
2.长春理工大学 高功率半导体国家重点实验室,吉林 长春 130022
[ "王嘉宾(1997-),男,吉林吉林人,硕士研究生,2019 年于长春理工大学获得学士学位,主要从事半导体外延生长的研究。E-mail: 985626845@qq.com" ]
王嘉宾(1997-),男,吉林吉林人,硕士研究生,2019 年于长春理工大学获得学士学位,主要从事半导体外延生长的研究。E-mail: 985626845@qq.com
[ "王海珠(1983-),男,吉林长春人,博士,副研究员,博士生导师,2012年于吉林大学获得博士学位,2014年清华大学博士后,主要从事半导体激光外延材料制备及应用的研究。E-mail: whz@cust.edu.cn" ]
王海珠(1983-),男,吉林长春人,博士,副研究员,博士生导师,2012年于吉林大学获得博士学位,2014年清华大学博士后,主要从事半导体激光外延材料制备及应用的研究。E-mail: whz@cust.edu.cn
纸质出版日期:2022-02,
收稿日期:2021-12-02,
修回日期:2021-12-20,
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引用本文
王嘉宾, 王海珠, 刘伟超, 等. 基于MOCVD三步生长的GaAs/Si外延技术[J]. 发光学报, 2022, 43(2):153-160.
Jia-bin WANG, Hai-zhu WANG, Wei-chao LIU, et al. Three-step Epitaxial Growth of GaAs on Si by MOCVD echnology[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022, 43(2):153-160.
王嘉宾, 王海珠, 刘伟超, 等. 基于MOCVD三步生长的GaAs/Si外延技术[J]. 发光学报, 2022, 43(2):153-160. DOI: 10.37188/CJL.20210378.
Jia-bin WANG, Hai-zhu WANG, Wei-chao LIU, et al. Three-step Epitaxial Growth of GaAs on Si by MOCVD echnology[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022, 43(2):153-160. DOI: 10.37188/CJL.20210378.
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