GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律

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GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律

发光学应用及交叉前沿 | 更新时间：2020-09-21

- GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律封面论文增强出版
- Degradation of GaAsN/GaAs Quantum Well Under 1 MeV Electron Beam Irradiation
- 发光学报 2020年 41卷第5期 (2020)
- 作者机构：
  
  中国科学院新疆理化技术研究所, 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,中国,830011;中国科学院大学,北京,中国,100049;云南师范大学能源与环境科学学院,云南,昆明,中国,650500;新疆大学物理科学与技术学院,新疆,乌鲁木齐,中国,830046
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61534008);中国科学院新疆理化技术研究所所长基金(Y55B171101);中科院西部之光(2017-XBQNXZ-B-004);电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金(ZHD201705)
- DOI：10.3788/fgxb20204105.0603 中图分类号： TN304.23;O475
- 纸质出版日期：2020-5，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2020-1-3，
  
  修回日期：，
  
  录用日期：2020-3-17
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引用本文
雷琪琪, 郭旗, 艾尔肯·阿不都瓦衣提, 等. GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律[J]. 发光学报, 2020, 41(5):603-609.

Qi-qi LEI, Qi GUO, ABUDUWAYITI Aierken, et al. Degradation of GaAsN/GaAs Quantum Well Under 1 MeV Electron Beam Irradiation[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(5):603-609.
雷琪琪, 郭旗, 艾尔肯·阿不都瓦衣提, 等. GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律[J]. 发光学报, 2020, 41(5):603-609. DOI： 10.3788/fgxb20204105.0603.

Qi-qi LEI, Qi GUO, ABUDUWAYITI Aierken, et al. Degradation of GaAsN/GaAs Quantum Well Under 1 MeV Electron Beam Irradiation[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(5):603-609. DOI： 10.3788/fgxb20204105.0603.

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GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律 封面论文 增强出版

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