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915 nm宽条形半导体激光器输出特性

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- 915 nm宽条形半导体激光器输出特性封面论文增强出版
- Output Characteristics of 915 nm Wide Strip Semiconductor Lasers
- 发光学报 2020年 41卷第4期 (2020)
- 作者机构：
  
  长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金（61774024）();国家重点研发计划（2017YFB0405100）();吉林省科技发展计划（20170101047JC，20170203014G
- DOI：10.3788/fgxb20204104.0442 中图分类号： TN248.4
- 纸质出版日期：2020-4-5，
  
  网络出版日期：2019-12-2，
  
  收稿日期：2019-10-29，
  
  修回日期：2019-11-22，
  
  录用日期：
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引用本文
么娜, 薄报学, 刘荣战等. 915 nm宽条形半导体激光器输出特性[J]. 发光学报, 2020,41(4): 442-450

YAO Na, BO Bao-xue, LIU Rong-zhan etc. Output Characteristics of 915 nm Wide Strip Semiconductor Lasers[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020,41(4): 442-450
么娜, 薄报学, 刘荣战等. 915 nm宽条形半导体激光器输出特性[J]. 发光学报, 2020,41(4): 442-450 DOI： 10.3788/fgxb20204104.0442.

YAO Na, BO Bao-xue, LIU Rong-zhan etc. Output Characteristics of 915 nm Wide Strip Semiconductor Lasers[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020,41(4): 442-450 DOI： 10.3788/fgxb20204104.0442.

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