GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制

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器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制封面论文增强出版
- Leakage Current Mechanism of GaSb/InSb/InP Heterostructure
- 发光学报 2018年 39卷第8期 (2018)
- 作者机构：
  
  吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130012
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金（61574069）资助项目()
- DOI：10.3788/fgxb20183908.1143 中图分类号： TP394.1;TH691.9
- 纸质出版日期：2018-8-5，
  
  网络出版日期：2018-4-16，
  
  收稿日期：2018-1-2，
  
  修回日期：2018-3-6，
  
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引用本文
徐佳新, 徐德前, 庄仕伟等. GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制[J]. 发光学报, 2018,39(8): 1143-1150

XU Jia-xin, XU De-qian, ZHUANG Shi-wei etc. Leakage Current Mechanism of GaSb/InSb/InP Heterostructure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018,39(8): 1143-1150
徐佳新, 徐德前, 庄仕伟等. GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制[J]. 发光学报, 2018,39(8): 1143-1150 DOI： 10.3788/fgxb20183908.1143.

XU Jia-xin, XU De-qian, ZHUANG Shi-wei etc. Leakage Current Mechanism of GaSb/InSb/InP Heterostructure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018,39(8): 1143-1150 DOI： 10.3788/fgxb20183908.1143.

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相关机构

中国科学院大学材料科学与光电技术学院

中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心, 北京 100083

中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所

发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

中国科学院大学

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