English Version Light学术出版中心

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制封面论文增强出版
- Leakage Current Mechanism of GaSb/InSb/InP Heterostructure
- 发光学报 2018年 39卷第8期 (2018)
- 作者机构：
  
  吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130012
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金（61574069）资助项目()
- DOI：10.3788/fgxb20183908.1143 中图分类号： TP394.1;TH691.9
- 纸质出版日期：2018-8-5，
  
  网络出版日期：2018-4-16，
  
  收稿日期：2018-1-2，
  
  修回日期：2018-3-6，
  
  录用日期：
扫描看全文
引用本文
徐佳新, 徐德前, 庄仕伟等. GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制[J]. 发光学报, 2018,39(8): 1143-1150

XU Jia-xin, XU De-qian, ZHUANG Shi-wei etc. Leakage Current Mechanism of GaSb/InSb/InP Heterostructure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018,39(8): 1143-1150
徐佳新, 徐德前, 庄仕伟等. GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制[J]. 发光学报, 2018,39(8): 1143-1150 DOI： 10.3788/fgxb20183908.1143.

XU Jia-xin, XU De-qian, ZHUANG Shi-wei etc. Leakage Current Mechanism of GaSb/InSb/InP Heterostructure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018,39(8): 1143-1150 DOI： 10.3788/fgxb20183908.1143.

浏览量

下载量

总被引

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

载流子复合机制对InGaN多量子阱蓝光LED调制带宽的影响

新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计

GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制 封面论文 增强出版

GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制封面论文增强出版