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0.5 μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应

发光学应用及交叉前沿 | 更新时间：2020-08-12

- 0.5 μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应封面论文增强出版
- Total Dose Effects in 0.5 μm CMOS Active Pixel Image Sensor
- 发光学报 2015年 36卷第2期 (2015)
- 作者机构：
  
  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室, 新疆电子信息材料与器件重点试验室, 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;中国科学院大学,北京,100049;重庆光电技术研究所,重庆,400060
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(11005152)资助项目()
- DOI：10.3788/fgxb20153602.0242 中图分类号： TP212.14;TN386.5
- 纸质出版日期：2015-2-3，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2014-11-11，
  
  修回日期：2014-12-24，
  
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引用本文
汪波, 李豫东, 郭旗等. 0.5 μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应[J]. 发光学报, 2015,36(2): 242-248

WANG Bo, LI Yu-dong, GUO Qi etc. Total Dose Effects in 0.5 μm CMOS Active Pixel Image Sensor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(2): 242-248
汪波, 李豫东, 郭旗等. 0.5 μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应[J]. 发光学报, 2015,36(2): 242-248 DOI： 10.3788/fgxb20153602.0242.

WANG Bo, LI Yu-dong, GUO Qi etc. Total Dose Effects in 0.5 μm CMOS Active Pixel Image Sensor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(2): 242-248 DOI： 10.3788/fgxb20153602.0242.

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