Los puntos cuánticos de sulfuro de cobre-indio (CIS) en el infrarrojo cercano (QDs), debido a la ausencia de elementos pesados, presentan ventajas significativas en la biocompatibilidad y la amigabilidad con el medio ambiente sobre los puntos cuánticos tradicionales a base de cadmio (CdSe) y plomo (PbS) infrarrojo cercano, pero su baja eficiencia cuántica de rendimiento de fluorescencia (PLQY) y la inestabilidad limitan su aplicación práctica. El recubrimiento de zinc puede aumentar el PLQY y la estabilidad de los CIS QDs, pero existe un importante desplazamiento de la longitud de onda de emisión de fotoluminiscencia (PL) de los CIS/ZnS QDs en relación con los CIS QDs intrínsecos, y la estructura de núcleo-cáscara CIS/ZnS, debido a la aleación en las interfaces, provoca un importante desplazamiento de la longitud de onda de emisión electroluminiscente (EL) del dispositivo (QLED) con relación a la emisión PL. En este estudio, se propuso un método de síntesis riguroso de la estructura de la cáscara estricta de los QDs CIS/ZnS para reducir el desplazamiento de PL de los CIS/ZnS en relación con los CIS QDs. Hemos logrado construir la estructura de la cáscara estricta de los QDs CIS/Al-ZnS (CIS/AZS), introduciendo un método de dopaje de 50% Al/Zn del alúmina isoamílico (Al (IPA)₃). Los experimentos mostraron que el desplazamiento importante de la longitud de onda EL de los CIS/AZS QLED se redujo a 7 nm (963 nm), la eficiencia cuántica externa máxima alcanzó el 2,61 %, y la vida útil del dispositivo aumentó un 80%. Este estudio proporciona una solución al problema del desplazamiento de la longitud de onda EL del sistema CIS/ZnS, permitiendo que el dispositivo conserve una valiosa emisión en la región del infrarrojo cercano.

Puntos cuánticos CIS/ZnS; Dispositivo electroluminiscente (QLED); Al dopado; Infrarrojo cercano