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通过壳层掺杂工程改善CuInS2/ZnS近红外量子点发光二极管性能
材料合成及性能 | 更新时间：2026-09-12

    • 通过壳层掺杂工程改善CuInS2/ZnS近红外量子点发光二极管性能

      增强出版

    • Improving Performance of CuInS2/ZnS Near-infrared QLED by Shell Doping Engineering

    • 发光学报   2025年46卷第8期 页码：1420-1429

    • DOI：10.37188/CJL.20250084    

      中图分类号： TN312.8;O482.31
    • CSTR：32170.14.CJL.20250084    

    • 收稿：2025-03-27，

      修回：2025-04-13，

      纸质出版：2025-08-25

    移动端阅览

  • 陈卓,陈一鸣,张倩倩等.通过壳层掺杂工程改善CuInS2/ZnS近红外量子点发光二极管性能[J].发光学报,2025,46(08):1420-1429. DOI: 10.37188/CJL.20250084. CSTR: 32170.14.CJL.20250084. DOI：

    CHEN Zhuo,CHEN Yiming,ZHANG Qianqian,et al.Improving Performance of CuInS2/ZnS Near-infrared QLED by Shell Doping Engineering[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(08):1420-1429. DOI: 10.37188/CJL.20250084. CSTR: 32170.14.CJL.20250084. DOI：

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相关作者

陈一鸣
陈卓
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刘振洋
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张蕾
代永莲

相关机构

物理科学与技术学院，河北省光电信息材料重点实验室，河北大学
辽宁科技大学 化学工程学院
中国科学院长春应用化学研究所 稀土资源利用国家重点实验室
白城师范学院 吉林省西部清洁能源重点实验室
常州大学材料科学与工程学院 江苏省光电热能量转化材料与应用工程实验室
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