Los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QLED) son una potente candidata para las tecnologías de visualización e iluminación de próxima generación debido a sus excelentes propiedades ópticas y capacidad de procesamiento en disolución. Sin embargo, los materiales tradicionales de inyección de huecos (como el PEDOT: PSS) presentan diversos problemas que limitan su rendimiento. En este estudio, se empleó tiocianato de cobre (CuSCN) como capa de inyección de huecos, y puntos cuánticos CdSe/ZnS verdes como capa emisora. Se prepararon dispositivos QLED verdes mediante un proceso de procesamiento en disolución utilizando diferentes capas de transporte de huecos (HTL), como PVK y Poly-TPD, y se compararon y analizaron las propiedades optoelectrónicas de los dispositivos bajo accionamiento de corriente alterna y continua. El estudio reveló que la barrera entre CuSCN y PVK produce una limitación del rendimiento del dispositivo debido a la captura de cargas en la interfaz; sin embargo, la introducción de Poly-TPD, debido a su mayor movilidad de huecos y nivel HOMO más bajo, reduce eficazmente la captura de cargas en la interfaz, mejorando significativamente la luminosidad y la eficiencia de corriente de los dispositivos, que alcanzan 132075 cd/m2 y 15.6 cd/A, respectivamente. Este estudio desvela el mecanismo del efecto de captura de cargas en la interfaz CuSCN/HTL sobre el rendimiento de la QLED, proporcionando soporte teórico y orientación práctica para la aplicación de CuSCN inorgánico en QLED de alta eficiencia en procesamiento de disolución.

tiocianato de cobre; diodo emisor de luz de puntos cuánticos; capa de inyección de huecos; captura de cargas; accionamiento de corriente alterna