El diodo emisor de luz de puntos cuánticos (QLED) se convierte en un fuerte candidato para la próxima generación de tecnologías de visualización e iluminación debido a su excelente rendimiento óptico y su capacidad de procesamiento de solventes. Sin embargo, los materiales tradicionales de inyección de huecos (como el PEDOT∶PSS) enfrentan varios problemas que limitan la mejora de su rendimiento. En este estudio, se utilizó tiocianato de cobre (CuSCN) como capa de inyección de huecos, y puntos cuánticos verdes de CdSe/ZnS como capa emisora de luz, combinados con diferentes capas de transporte de huecos (HTL) como PVK y Poly-TPD. Se prepararon dispositivos QLED verdes mediante un proceso de procesamiento de solventes, y se analizó y comparó el rendimiento optoelectrónico de los dispositivos bajo conducción directa y alterna. La investigación reveló que la barrera de energía entre CuSCN y PVK conduce a una restricción de carga en la interfaz, lo que reduce el rendimiento del dispositivo. Por otro lado, la introducción de Poly-TPD puede reducir eficazmente la restricción de carga en la interfaz, debido a su mayor movilidad de huecos y un nivel HOMO de energía más superficial, lo que aumenta significativamente la luminosidad de la emisión y la eficiencia del dispositivo, con una luminosidad máxima de emisión y una eficiencia máxima de corriente de 132,075 cd/m2 y 15.6 cd/A respectivamente. Este estudio revela el mecanismo del efecto de la restricción de carga en la interfaz CuSCN/HTL en el rendimiento de QLED, y proporciona apoyo teórico y orientación práctica para la aplicación de CuSCN inorgánico en QLED de alta eficiencia utilizando un proceso de procesamiento de solventes.

tiocianato de cobre; diodo emisor de luz de puntos cuánticos; capa de inyección de huecos; carga limitada; conducción alterna