Se estudió el impacto de la tecnología de recocido térmico compuesto NH₃/N₂ en la calidad cristalina, las propiedades luminosas y la conductividad del material GaN fuertemente dopado con Mg. Los resultados experimentales muestran que, en comparación con la tecnología de recocido térmico a alta temperatura tradicional en una atmósfera de N₂, el uso de la tecnología de recocido térmico a alta temperatura en una atmósfera de NH₃ puede mejorar la calidad cristalina del material GaN fuertemente dopado con Mg, al mismo tiempo que mejora eficazmente la dopaje de átomos de Mg, lo que resulta en un aumento de la intensidad del pico azul en el espectro de fotoluminiscencia. El uso de la tecnología de recocido térmico compuesto en una atmósfera de NH₃ combinada con la tecnología de recocido térmico a baja temperatura en una atmósfera de N₂ reduce significativamente la concentración de electrones de fondo dentro del material GaN fuertemente dopado con Mg. Esto se debe a que, durante el recocido térmico en una atmósfera de NH₃, los productos de descomposición térmica de NH₃ reducen eficazmente la concentración de defectos superficiales como vacantes de nitrógeno y átomos de tipo escalera de Ga en el material, lo que finalmente mejora la conductividad del material GaN fuertemente dopado con Mg.

nitruro de galio; dopaje de magnesio; tratamiento térmico; amoníaco