Полупроводниковые усилительные чипы, используемые в качестве активной среды внешних резонаторных полупроводниковых лазеров, напрямую определяют основные характеристики лазеров, такие как мощность, поляризационная связанность и коэффициент расширения линии. Для повышения отношения поляризационного затухания полупроводникового усилительного чипа и снижения шума, вводимого конкуренцией мод в лазере, в данной работе изучается влияние толщины квантовой ямы, квантового напряжения на материальное усиление трансверсальных электрических (TE) и трансверсально магнитных (TM) мод, а также исследуется влияние длины активной области на мощность усилителя и спонтанное излучение спектра. Путем введения давлению в квантовую яму InGaAs/AlGaAs улучшено различие в материальном усилении между модами TE и TM, что позволило получить полупроводниковый усилительный чип в области 850 нм с явной поляризационной зависимостью, максимальной амплитудой поляризационного затухания 9,58 дБ, максимальной шириной спонтанного излучения 28,72 нм и максимальной выходной мощностью 28,53 мВт. Эта работа предоставляет активную среду усиления с явно выраженными свойствами поляризации, необходимую для измерений квантовой точности, когерентного лазерного радара и когерентной оптической связи.

усилительные чипы,внешние резонаторные полупроводниковые лазеры,квантовая яма,отношение поляризационного затухания,линейно поляризованные