Полупроводниковая усилительная микросхема как активная среда внешнешарового полупроводникового лазера (ECSL) напрямую определяет мощность, поляризационную связь и фактор расширения ширины линии лазера. Для улучшения поляризационного коэффициента поглощения полупроводниковой усилительной микросхемы, снижения шума, вносимого конкуренцией моды в лазере, в данной статье изучено влияние толщины квантовой ямы, деформации квантовой ямы на материальное усиление поперечного электрического (TE) и поперечного магнитного (TM) режимов, а также изучен эффект длины активной зоны на мощность усилительной микросхемы и диапазон самопроизвольного излучения. Путем введения давления в квантовую яму InGaAs/AlGaAs удалось увеличить разницу в материальном усилении между режимами TE и TM, достигнуто усиление с маркировкой поляризации в диапазоне 850 нм, с максимальным коэффициентом поглощения 9,58 дБ, шириной самопроизвольного излучения 28,72 нм и максимальной выходной мощностью 28,53 мВт. Полупроводниковая усилительная микросхема с заметной поляризационной устойчивостью обеспечивает активное средство усиления, необходимое в области квантового точного измерения, когерентнолазерного телевидения и когерентной оптической связи.

Усилительная микросхема; внешнешаровой полупроводниковый лазер; квантовая яма; коэффициент поглощения поляризации; лазер с поляризацией