Для достижения высокой яркости и низкого угла расходимости излучения полупроводникового лазера с длиной волны 1 060 нм была использована чипа с высокой яркостью вертикальной широкой областью излучения (HiBBEE) и разработан и успешно изготовлен конусообразный полупроводниковый лазер HiBBEE. Этот лазер использует волновод с шириной 7 мкм для достижения одномодового излучения, а также секцию конусообразного волновода шириной 100 мкм на задней поверхности для усиления мощности. Яркость лазера достигает 25 МВт/см². Вертикальный угол расходимости уменьшается до 8,0° с использованием структуры HiBBEE. У этого лазера есть важные применения в областях, таких как лазерный радар, безопасный для глаз.

конусообразный полупроводниковый лазер;вертикальный широкополосный лазер;высокая яркость;качество пучка