Квантово-точечный светодиод (QLED) благодаря своим отличным оптическим характеристикам и возможности растворения становится мощным кандидатом для следующего поколения технологий отображения и освещения. Однако традиционные материалы для инжекции дырок (например, PEDOT∶PSS) имеют ряд проблем, ограничивающих улучшение их характеристик. В данном исследовании в качестве слоя инжекции дырок использовался тиоцианат меди (CuSCN), а в качестве излучающего слоя – зеленые квантовые точки CdSe/ZnS, в сочетании с различными слоями транспорта дырок (HTL), такими как PVK и Poly-TPD. Были подготовлены зеленые QLED-устройства с использованием процесса растворения, и был проведен сравнительный анализ оптико-электрических характеристик устройств при прямом и переменном приводе. Исследование показало, что барьер энергии между CuSCN и PVK приводит к фиксации зарядов на границе, что снижает характеристики устройства. В то время как введение Poly-TPD может эффективно снизить фиксацию зарядов на границе засчет более высокой мобильности дырок и более неглубокого уровня энергии HOMO, что существенно повышает яркость излучения и эффективность тока устройства, где максимальная яркость излучения и максимальная эффективность тока составляют соответственно 132 075 кд/м2 и 15.6 кд/А. Данное исследование раскрывает механизм влияния фиксации зарядов на границе CuSCN/HTL на характеристики QLED и предоставляет теоретическую поддержку и практическое руководство для использования неорганического CuSCN в высокоэффективных QLED с использованием процесса растворения.

тиоцианат меди; квантово-точечный светодиод; слой инжекции дырок; фиксированный заряд; переменный привод