SiC база является хорошим выбором для изготовления высокопроизводительных глубоко-ультрафиолетовых лазеров на основе AlGaN. Структура многоквантовых ям AlGaN/AlN (MQWs) была приготовлена на подложке 4H-SiC с использованием метода металлорганического химического осаждения из паровой фазы, и были систематически обсуждены влияния параметров роста MQWs на свойства спонтанного и индуцированного излучения глубоко-ультрафиолетового лазерного структуры. После комплексного анализа формы поверхности и оптических характеристик MQWs, было обнаружено, что шероховатость поверхности MQWs уменьшается с увеличением потока NH3 и повышением температуры роста. После оптимизации внутренняя внутренняя квантовая эффективность MQWs достигла 74,1%, пороговая плотность оптической мощности лазера при комнатной температуре и ширина линии спектра составляют 1,03 МВт/см² и 1,82 нм соответственно, а излучаемая длина волны равна 248,8 нм. Это в основном обусловлено тем, что высокий поток NH3 и высокая температура роста угнетали углеродные примеси в активной зоне, повысили эффективность излучения носителей и увеличили усиление материалов. В то же время снизилась скорость роста, улучшилась форма поверхности структуры MQWs и уменьшилась потеря рассеяния интерфейса. Была использована композитная технология сухого травления и влажного коррозионного процесса для изготовления плавных крутых резонаторов, снизилась поверхностная потеря резонаторного лазера, пороговая плотность оптической мощности и ширина линии спектра дополнительно снизились до 889 кВт/см² и 1,39 нм.

AlGaN; SiC; оптический качатель; соотношение V/III; температура роста