您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响
材料合成及性能 | 更新时间：2024-09-25
|

    • 4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响

      增强出版

    • Effects of Growth Parameters on Stimulated Emission Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates

    • “在深紫外激光器领域，研究人员通过优化生长参数，实现了高内量子效率和低阈值激射，为高性能AlGaN基激光器发展提供新思路。”
    • 发光学报   2024年45卷第6期 页码：894-904

    • DOI：10.37188/CJL.20240080    

      中图分类号： O482.31

    • 纸质出版日期：2024-06-25，

      收稿日期：2024-03-26，

      修回日期：2024-04-10，

    移动端阅览

  • 张睿洁,郭亚楠,吴涵等.4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响[J].发光学报,2024,45(06):894-904. DOI： 10.37188/CJL.20240080.

    ZHANG Ruijie,GUO Yanan,WU Han,et al.Effects of Growth Parameters on Stimulated Emission Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(06):894-904. DOI： 10.37188/CJL.20240080.

  •  
  •  

0

浏览量

386

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

生长温度对立方MgZnO薄膜生长取向和紫外光吸收特性的影响
低温外延生长平整ZnO薄膜
柔性衬底上ALD法低温制备的ZnO薄膜的光学和电学特性
生长温度对6H-SiC上SiCGe薄膜发光特性的影响

相关作者

刘志彬
吴涵
李晋闽
柳文军
曹培江
韩舜
吕有明
彭赛

相关机构

深圳大学材料学院 深圳市特种功能材料重点实验室
发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院大学
吉林大学 物理学院
长春理工大学 理学院
0