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4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响
材料合成及性能 | 更新时间：2024-09-25
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    • 4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响

      增强出版

    • Effects of Growth Parameters on Stimulated Emission Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates

    • “在深紫外激光器领域，研究人员通过优化生长参数，实现了高内量子效率和低阈值激射，为高性能AlGaN基激光器发展提供新思路。”
    • 发光学报   2024年45卷第6期 页码：894-904

    • DOI：10.37188/CJL.20240080    

      中图分类号： O482.31

    • 纸质出版日期：2024-06-25，

      收稿日期：2024-03-26，

      修回日期：2024-04-10，

    移动端阅览

  • 张睿洁,郭亚楠,吴涵等.4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响[J].发光学报,2024,45(06):894-904. DOI： 10.37188/CJL.20240080.

    ZHANG Ruijie,GUO Yanan,WU Han,et al.Effects of Growth Parameters on Stimulated Emission Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(06):894-904. DOI： 10.37188/CJL.20240080.

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