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2016
年
第
8
期
本期电子书
封面故事
上一期
下一期
材料合成及性能
氢键作用对基于异佛尔酮发光材料的荧光性能的影响
白清云,陈柳青,赵浩成,施琨雁,席昭洋,王忠强,刘旭光,王华,许并社
2016, 37(8): 899-905. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0899
摘要:合成了3种基于异佛尔酮的新型单晶荧光材料:3-二丙烯腈基-5,5-二甲基-1-苯乙烯基环己烯(DCDSC)、3-二丙烯腈基-5,5-二甲基-1-(3-羟基苯乙烯基)环己烯(DCDH
3
C)及3-二丙烯腈基-5,5-二甲基-1-(4-羟基苯乙烯基)环己烯(DCDH
4
C)。通过氢核磁共振谱和元素分析确定了它们的分子结构。通过单晶X射线衍射获得了3种材料的晶体结构数据。DCDSC、DCDH
3
C和DCDH
4
C的紫外吸收光谱依序分布在长波区的390,398,424 nm,短波区分布在268,269,283 nm。DCDSC、DCDH
3
C和DCDH
4
C在THF中的最大发射峰分别位于522,549,567 nm。与DCDSC相比,3位羟基取代的DCDH
3
C的发射波长红移了27 nm,而4位取代羟基的DCDH
4
C的发射波长红移了45 nm。其主要原因在于DCDSC、DCDH
3
C和DCDH
4
C存在不同的氢键作用,当然,取代基的类型及位置等也可能对材料的发射波长产生一定作用。
关键词:异佛尔酮;发光;取代基;氢键
66
|
13
|
0
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发布时间:2020-08-12
室温快速液相沉淀法制备吡嗪四甲酸钐配合物及其光致发光性能研究
宁张磊,杨丹丹,雷晰婷,陆映炯,何林,贺希,刘梦娇,高道江,李文军
2016, 37(8): 906-911. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0906
摘要:采用室温快速液相沉淀法制备了吡嗪四甲酸钐亚微米椭球配合物材料。通过红外光谱、能谱、扫描电子显微镜、紫外可见光谱和荧光光谱对制备的配合物进行了表征和性能测定。结果表明:溶液的pH值对产品的形貌和光致发光性能有重要的影响,通过调节溶液的pH值可以实现产品的形貌由纳米粒子到微米级椭球的有效调控。所有产品均在561,596,643 nm出现3条谱线,分别对应着钐离子的
4
G
5/2
→
6
H
5/2
、
4
G
5
/2
→
6
H
7/2
和
4
G
5
/2
→
6
H
9/2
的特征能级跃迁。当溶液的pH接近中性时,所制备的配合物样品的特征发射峰强度最大。
关键词:钐配合物;液相沉淀法;制备;形貌;光致发光
53
|
9
|
1
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发布时间:2020-08-12
太阳电池用YVO
4
:Eu
3+
下转换材料的掺杂改性研究
檀满林,尚旭冉,王晓伟,李冬霜,符冬菊,张维丽,马清,陈建军,张化宇
2016, 37(8): 912-918. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0912
摘要:为进一步提高YVO
4
材料的下转换发光性能,在改进后的溶胶-凝胶法制备的YVO
4
:Eu
3+
中,通过掺入Bi
3+
来拓宽其在紫外波段的光谱吸收并提高其发光强度,通过掺入P
5+
达到以PO
4
3-
部分取代VO
4
3-
来改善YVO
4
:Eu
3+
的光输出稳定性及温度猝灭特性的目的。研究表明,掺入的Bi
3+
和P
5+
可成功取代YVO
4
晶格中的Y
3+
和V
5+
。当Bi
3+
掺入量较少时,样品仍然为四方晶系,Bi
3+
较好地取代了Y
3+
的晶格位置,形成单相的晶体结构。而在掺入少量的P
5+
之后,YVO
4
与YPO
4
之间形成了均匀的固溶体。在350 nm激发光源作用下,当Bi
3+
和P
5+
掺杂摩尔分数分别为0.04和0.10时,发光强度达到最大,特别是YV
0.90
P
0.10
O
4
:0.05Eu
3+
在619 nm处的发光强度要比YVO
4
:0.05Eu
3+
的发光强度增大1.9倍。
关键词:钒酸钇;下转换;掺杂改性
62
|
12
|
2
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发布时间:2020-08-12
利用共价键镶嵌上转换纳米晶制备发光NaYF
4
-PMMA纳米复合聚合物
张培培,郎言波,郭俊杰,陈欢,秦伟平,赵丹
2016, 37(8): 919-926. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0919
摘要:在NaYF
4
纳米晶表面修饰不饱和基团,与甲基丙烯酸甲酯单体共聚,制备了NaYF
4
-PMMA发光纳米复合聚合物。采用共价键将纳米晶镶嵌在聚合物基质中,可实现纳米粒子均匀、稳定、高浓度的掺杂。所使用的纳米发光材料为NaYF
4
:20%Yb,2%Er和NaYF
4
:20%Yb,1.5%Tm。NaYF
4
:20%Yb,2%Er纳米晶的尺寸为9~14 nm,NaYF
4
:20%Yb,1.5%Tm纳米晶的尺寸为11~15 nm。在980 nm红外光的激发下,NaYF
4
:20%Yb,2%Er-PMMA发出明亮的黄光,NaYF
4
:20%Yb,1.5%Tm-PMMA发出明亮的蓝光,分别与其对应的发光纳米晶的发射光谱完全一致。实验结果表明:NaYF
4
-PMMA材料透明性良好,稳定性高,上转换发光强度大。这种上转换发光纳米复合聚合物在显示领域,特别是在真三维显示方面具有潜在的应用前景。
关键词:上转换发光;纳米复合聚合物;稀土掺杂纳米晶
99
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11
|
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发布时间:2020-08-12
AlN微晶棒的的制备及光致发光性能研究
沈龙海,张轩硕
2016, 37(8): 927-931. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0927
摘要:采用直流电弧放电方法,在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱等测试手段对所制备样品进行表征和发光性能的研究。结果表明:所制备的AlN微晶棒长度约为30μm,直径约为10μm。在AlN微晶棒的PL谱中,有两个主要发光峰,中心在430 nm的发射源于V
N
和(V
Al
-O
N
)
2-
构成的深施主-深受主对缺陷发光,中心在650 nm的发射源于V
Al
形成的深受主能级到价带的缺陷发光。在激发波长由270 nm逐渐增大到300 nm的过程中发现,AlN微晶棒波长在430 nm处的发光峰先增强后减弱,在激发波长为285 nm时强度最大;650 nm处的发光峰随激发波长增大而逐渐增强。
关键词:AlN微晶棒;直接氮化法;光致发光;缺陷发光
55
|
10
|
3
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发布时间:2020-08-12
燃烧法可控制备Eu
3+
-Eu
2+
共存Ca
12
Al
14
O
32
F
2
荧光粉及其荧光性能的研究
陈彩花,彭海龙,梁利芳,蒙丽丽,张丽霞
2016, 37(8): 932-939. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0932
摘要:采用燃烧法合成Ca
12-
x
Al
14
O
32
F
2
:
x
Eu荧光粉,对样品进行了X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)以及光致发光光谱等表征,探讨了燃烧温度、氟化铵、尿素、硼酸以及铕浓度等合成条件对荧光性能的影响。研究结果表明,利用燃烧法可以合成Eu
3+
-Eu
2+
共存、发光可调的荧光粉。通过改变合成条件,改变Eu
2+
和Eu
3+
的比例,荧光粉的发光颜色可表现为白光-橙红色-蓝白光-淡紫色-深蓝色-淡蓝色等变化。
关键词:Ca
12
Al
14
O
32
F
2
;Eu
3+
-Eu
2+
;燃烧法可控合成;发光材料
51
|
14
|
4
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发布时间:2020-08-12
超高速撞击2A12铝过程中铝原子的光谱辐射特征
唐恩凌,徐名扬,张庆明,王猛,相升海,夏瑾,刘淑华,贺丽萍,韩雅菲,郭凯
2016, 37(8): 940-947. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0940
摘要:为了揭示超高速撞击2A12铝中铝原子的光谱辐射特征,利用建立的二级轻气炮加载系统和光谱仪采集系统,采集3种不同实验条件下的光谱辐射强度并结合量子力学对2A12铝靶中铝原子的能级理论进行了描述。在Al原子球形壳层中发现,电子的相对几率4π
r
2
R
2
随相对原子中心的距离
r
变化的图形具有波动性的特点,电子在能级及其附近运动;原子核周围的电子在能级轨道出现的几率最大,电子在能级轨道周围出现的几率较小;Al的原子光谱都出现一定的展宽,验证了电子的能级跃迁释放或吸收能量的几率亦随原子中电子的位置波动变化。实验结果还表明:随着碰撞速度的增大,在Al原子光谱中波长较小谱线的辐射强度增加较快,波长较长谱线的辐射强度增加缓慢。
关键词:超高速撞击;2A12铝;能级跃迁;量子力学;光谱辐射强度
64
|
11
|
2
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发布时间:2020-08-12
Dy
3+
掺杂硼酸盐玻璃的制备、表征及发光特性
乔荫颇,张摇攀,殷海荣,李艳肖,刘摇晶,周摇沁
2016, 37(8): 948-954. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0948
摘要:采用高温熔融-冷却法制备了一系列Dy
3+
掺杂的B
2
O
3
-ZnO-Na
2
O-Al
2
O
3
发光玻璃,通过红外光谱、紫外-可见-近红外光谱和荧光光谱等研究了其结构及发光特性。分析表明:制备的发光玻璃中出现基质组分的结构特征峰及Dy
3+
的能级跃迁特征峰。在350 nm波长光激发下,样品的发光强度、黄蓝发射峰比、荧光寿命、色坐标及色温等均随Dy
3+
浓度的变化发生明显的可调节变化。样品的荧光发射强度随Dy
3+
浓度的增加呈现先增大后减小的变化,当Dy
3+
掺杂摩尔分数为1.0%时,发光强度最大。此外,随着Dy
3+
掺杂浓度的增大,发光玻璃的荧光寿命及发射光谱的色度坐标值、色温都呈现递减的趋势。这表明通过基质组分及掺杂元素的调节可以使得该硼酸盐体系发光玻璃获得高效可调节的光功能从而得到广泛应用。
关键词:Dy
3+
掺杂;硼酸盐玻璃;发光玻璃;浓度猝灭;荧光寿命
87
|
12
|
0
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发布时间:2020-08-12
掺杂壳层对增强NaYF
4
:Ce
3+
,Tb
3+
体系发光的影响
金辉,马洪涛,刘鹏
2016, 37(8): 955-960. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0955
摘要:构建了NaYF
4
:Ce
3+
,Tb
3+
/NaYF
4
:
x
%Ce
3+
核/活性壳结构,系统地研究了能量激发、吸收、迁移和发射的每一个过程,揭示了活性壳对增强发光所起的作用。研究表明,活性壳增强发光的本质是增加了激发光的吸收效率。而对于量子产率而言,计算得到裸核的荧光量子效率为21.5%,核/惰性壳结构的荧光量子效率为59.8%,核/活性壳结构的荧光量子效率为53.2%。结果表明,与核/惰性壳结构相比,核/活性壳结构的发光量子产率并没有得到提高,甚至还有所降低。
关键词:稀土掺杂;活性壳;纳米材料;发光效率
48
|
14
|
0
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发布时间:2020-08-12
器件制备及器件物理
非掺杂型高效绿色磷光有机电致发光器件
由雪萌,张新稳,陈月花,赖文勇,黄维
2016, 37(8): 961-966. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0961
摘要:在空穴传输层TCTA与电子传输层TPBi之间引入磷光染料Ir(ppy)
3
超薄发光层,制备了结构为ITO/MoO
3
(2 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/Ir(ppy)
3
(
x
nm)/TPBi(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(80 nm)的非掺杂磷光有机电致发光器件。通过调控非掺杂发光层的厚度,详细研究了Ir(ppy)
3
层厚度对器件性能的影响。实验结果表明,当非掺杂发光层厚度为0.2 nm时,器件的性能最好,器件的亮度、效率和外量子效率分别达到26350 cd·m
-2
、42.9 cd·A
-1
和12.9%。研究结果表明,采用超薄的非掺杂发光层可以简化器件结构和制备工艺,获得高效率的OLED器件。
关键词:超薄非掺杂发光层;有机电致发光二极管;激子
59
|
22
|
2
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发布时间:2020-08-12
纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
黄华茂,黄江柱,胡晓龙,王洪
2016, 37(8): 967-972. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0967
摘要:纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米柱结构的形貌,并测试了常温和10 K低温时的光致发光谱(PL)。结果表明:应变释放对压电场的影响显著,使得纳米柱结构样品的内量子效率(IQE)提高,PL谱峰值波长蓝移;应变在量子阱中的不均匀分布还使得PL谱半高全宽(FWHM)展宽。与普通平面结构相比,高度为747 nm的纳米柱结构可使得IQE提升917%,PL谱峰值波长蓝移18 nm、FWHM展宽7 nm。另外,纳米柱结构样品的有源区有效面积减小可使得PL谱FWHM减小。
关键词:GaN基LED;绿光LED;纳米柱结构;光致发光谱
38
|
13
|
4
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发布时间:2020-08-12
F8BT:P3HT共混薄膜放大自发辐射的温度效应
王尉谦,秦亮,林涛,侯延冰
2016, 37(8): 973-978. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0973
摘要:研究了温度对聚合物poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole) (F8BT)和poly(3-hexylthiophene) (P3HT)共混薄膜的放大自发辐射(ASE)的影响。在80~320 K温度范围测试了不同P3HT质量比的共混聚合物薄膜和纯F8BT薄膜的ASE特性。在室温条件下,共混聚合物的阈值随着P3HT所占比例的增加先降低后升高。当P3HT比例约为20%时,阈值最低约为2.59×10
3
W/cm
2
。当温度从320 K下降到80 K时,纯F8BT薄膜的ASE阈值光功率由5.36×10
3
W/cm
2
下降到4.15×10
3
W/cm
2
,P3HT质量比为20%的共混薄膜的ASE阈值光功率由2.84×10
3
W/cm
2
下降到2.03×10
3
W/cm
2
。在一特定泵浦光功率(5.29×10
3
W/cm
2
)下,当温度由320 K下降至80 K时,ASE强度约提高4倍。随着温度的降低,混合物薄膜的ASE峰位红移,移动达12 nm。
关键词:放大的自发辐射;温度效应;聚合物共混波导;阈值
46
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12
|
1
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发布时间:2020-08-12
硅衬底GaN基LED薄膜芯片的应力调制
汤英文,熊传兵,王佳斌
2016, 37(8): 979-983. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0979
摘要:将Si衬底GaN基LED外延薄膜经晶圆键合、去硅衬底等工艺制作成垂直结构GaN基LED薄膜芯片,并对其进行不同温度的连续退火,通过高分辨X射线衍射(HRXRD)研究了连续退火过程中GaN薄膜芯片的应力变化。研究发现:垂直结构LED薄膜芯片在160~180℃下退火应力释放明显,200℃时应力释放充分,GaN的晶格常数接近标准值。继续升温应力不再发生明显变化,GaN薄膜的晶格常数只在标准晶格常数值附近波动。扫描电子显微镜给出的bonding层中Ag-In合金情况很好地解释了薄膜芯片应力的变化。
关键词:硅衬底;GaN;应力;XRD;Ag-In
65
|
19
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2
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发布时间:2020-08-12
化学气相沉积法在蓝宝石衬底上可控生长大面积高质量单层二硫化钨
巩哲,何大伟,王永生,许海腾,董艳芳
2016, 37(8): 984-989. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0984
摘要:在常压条件下使用CVD法生长单层WS
2
,通过改变实验条件实现控制晶粒大小或生长成薄膜的目的。采用光学显微镜、拉曼、光致发光谱等对制备的样品进行表征,得到了结晶质量高、尺寸达120μm的单层WS
2
晶粒。同时讨论了几个重要参数如温度、生长时间以及钨源用量等对生长单层WS
2
的影响。结果表明:温度对CVD生长WS
2
影响最大,高温有助于生长高结晶质量的WS
2
。调节生长时间可以控制WS
2
晶粒的大小,较长时间能生长出连续的薄膜。过量的S蒸汽会抑制WS
2
生长,影响结晶质量。
关键词:单层二硫化钨;化学气相沉积;拉曼光谱;光致发光谱
83
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发布时间:2020-08-12
高亮度锥形半导体激光器
李景,邱运涛,曹银花,王青,尧舜,秦文斌,刘友强,王智勇
2016, 37(8): 990-995. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0990
摘要:介绍了由双量子阱非对称波导结构外延片刻蚀成的带有脊形波导结构的锥形半导体激光器。该激光器有效抑制了p型区域对激光的影响,减小了半导体激光快轴方向的发散角,同时采用脊形结构和锥形结构的组合获得了高亮度激光。实验中,在电流7 A时获得了中心波长963 nm、连续功率4.026 W的激光输出。测得慢轴方向和快轴方向激光光束参数乘积分别为1.593 mm·mrad和0.668 mm·mrad。
关键词:半导体激光器;锥形波导;脊形波导;高亮度;高光束质量
104
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12
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6
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发布时间:2020-08-12
注入电流引起质子轰击VCSEL中的模式竞争
赵红东,彭晓灿,马俐,孙梅
2016, 37(8): 996-1001. DOI: 10.3788/fgxb20163708.0996
摘要:为了分析质子轰击垂直腔面发射激光器(VCSEL)中注入电流引起的激光模式竞争过程,在三维空间中对VCSEL激射后光电热进行了研究。给出仿真光电热的方程之后,在室温连续工作条件下,对电流孔半径
r
为4μm、阈值电流I
th
为4.5 mA的VCSEL进行自洽求解。当注入电流I
in
分别为5.0,5.5,6.0 mA时,得到了对应的外加电压和输出光功率,并绘制了VCSEL的电势、注入电流、载流子、光场和热场的空间分布,给出了连续工作下输出光功率随注入电流变化的曲线。仿真结果表明:随着注入VCSEL中的电流增加,电流密度增大,激光的横向基模和横向一阶模式同时增强。横向一阶模式增加的强度及扩展的范围大于横向基模,激光输出能量逐渐向横向一阶模式过渡,横向模式竞争的同时产生载流子空间烧孔,因此在电流孔半径
r
≥μm的VCSEL中,连续工作激光模式不稳定。
关键词:垂直腔面发射激光器;横模;光电热仿真
78
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发布时间:2020-08-12
发光学应用及交叉前沿
GaN基白光LED电极的失效机制
夏云云,文尚胜,方方
2016, 37(8): 1002-1007. DOI: 10.3788/fgxb20163708.1002
摘要:对负电极脱落造成白光LED失效进行了研究。结合扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)对退化样品芯片进行了表面形貌表征和微区成分分析。SEM观察到退化样品负极脱落处表面粗糙不平,且透明导电薄膜存在颗粒状结晶。经EDS检测发现负极脱落处存在腐蚀性氯元素,并在封装胶中检测出氯。分析认为,封装胶中残留的氯离子与负极中Al层发生的电化学腐蚀是致使样品失效的主要原因。
关键词:LED;失效分析;电极;腐蚀
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|
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发布时间:2020-08-12
LED显示屏相机采集的渐晕校正
田志辉,苗静,毛新越,程宏斌
2016, 37(8): 1008-1013. DOI: 10.3788/fgxb20163708.1008
摘要:为了克服采集相机渐晕在LED显示屏逐点一致化校正过程中产生的亮度不均匀缺陷,提出了一种基于LED显示屏本身和若干屏幕离散位置亮度测量的采集相机渐晕校正方法。首先分析了相机对LED显示屏进行数据成像采集过程及成像特征,在此基础上,提出了采集相机渐晕的标定方法,得到了代表相机渐晕的拟合曲面,从而计算出采集相机上每一像素点的渐晕修正系数。利用上述方法对LED显示屏进行了单箱亮度校正实验。实验结果表明:单箱校正的显示均匀性从渐晕修正前的6.69%缩小到修正后的1.49%。经过对相机影像渐晕修正以后,可以完全消除修正前的亮度曲面分布,从而克服了修正前LED显示屏中心暗、四周亮的缺陷,达到了理想的多屏拼接校正效果。
关键词:LED显示屏;渐晕修正;图像均匀度;曲面拟合
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发布时间:2020-08-12
基于高光谱成像技术的长枣不同保藏温度的可溶性固形物含量检测方法
冯愈钦,吴龙国,何建国,王松磊,贺晓光,丁佳兴
2016, 37(8): 1014-1022. DOI: 10.3788/fgxb20163708.1014
摘要:应用高光谱成像技术对不同保藏温度的灵武长枣的可溶性固形物含量进行预测模型建立。提取图像中感兴趣区域的平均光谱数据,经过不同光谱预处理后,利用连续投影法(SPA)选择特征波长,对4℃冷藏光谱提取13个特征波段(421,426,512,598,641,670,675,723,814,906,944,978,982 nm),对常温保藏光谱提取12个特征波段(425,507,555,598,673,680,685,718,809,910,954,978 nm)。对于MSC处理、MSC+SPA处理、Savitzky-Golay平滑处理和SNV 4种预处理方法,筛选出的最优预处理方法是冷藏采用MSC处理、常温采用MSC+SPA处理。对应这两种最优预处理方法,分别建立偏最小二乘法(PLSR)、支持向量机(SVM)、主成分回归(PCR)3种预测模型。在以上获得的6个预测模型中,得出冷藏、常温保藏的最优模型分别为MSC-PLSR模型(
R
C
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:0.852,RMSEC:0.940;
R
C
2
P:0.857,RMSEP:0.894)和MSC+SPA-PLSR模型(
R
C
2
:0.872,RMSEC:0.866;
R
C
2
P:0.787,RMSEP:1.007)。结果表明:利用高光谱成像技术,结合多种预测模型建立,能够测定不同保藏温度下的灵武长枣可溶性固形物含量,实现对灵武长枣准确快速的无损检测。
关键词:高光谱成像;可溶性固形物;连续投影法;偏最小二乘法
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发布时间:2020-08-12
基于荧光光谱的茶汤中拟除虫菊酯类农药的智能识别
张吉华,赵志敏,张文杰
2016, 37(8): 1023-1030. DOI: 10.3788/fgxb20163708.1023
摘要:基于三维荧光光谱和二维荧光相关光谱,对茶汤中两种拟除虫菊酯农药进行了识别。利用图像局部极值算法,分别提取出三维荧光光谱图和二维相关光谱图中的峰、谷位置信息,然后进行峰位匹配实现茶汤中农药组分的智能识别。结果表明,三维荧光光谱图受到荧光峰重叠的影响,不能对氰戊菊酯进行有效匹配。而利用二维相关光谱不仅可以克服这一缺点,而且不受混合物中农药组分浓度的影响。基于二维荧光相关光谱,对实际茶汤中氰戊菊酯和顺式氯氰菊酯进行了识别,识别率分别为80%和83%。
关键词:三维荧光光谱;二维荧光相关光谱;图像局部极值;拟除虫菊酯类农药;识别
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发布时间:2020-08-12
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